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1
아래의 구조식 (I)로 표시되는 노르보넨 단량체
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2
아래의 구조식 (II)로 표시되는 아크릴레이트 단량체와 메타크릴레이트 단량체
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3
아래의 구조식 (III)으로 표시되는 알코올 구조식 (III) 여기서 R3은 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1∼20의 히드록시 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시 알킬기, 탄소수 6∼30의 지방족 고리 탄화수소, 탄소수 6∼30의 지방족 락톤이고; X는 수소, 혹은 히드록시기이다
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4
청구항 3의 구조식 (III)의 알코올과 2-클로로카르보닐-5-노르보넨, 아크릴로일 클로라이드 및 메타크릴로일 클로라이드에서 선택되는 1종을 반응시켜 청구항 1의 구조식 (I), 청구항 2의 구조식 (II)로 표시되는 단량체를 제조하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 단량체의 제조방법
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5
아래의 구조식 (IV)로 표시되는 중합체
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6
청구항 5의 구조식 (IV)로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함함을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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7
아래의 구조식 (V)로 표시되는 중합체
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8
청구항 7의 구조식 (V)로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함함을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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9
아래의 구조식 (VI)로 표시되는 중합체
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10
청구항 9의 구조식 (VI)로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함함을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물
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11
청구항 1의 구조식 (I)로 표시되는 노르보넨 단량체의 단독 중합 또는 말레산 무수물과의 공중합체를 제조하는 단계; 및 상기 중합체와 광산발생제를 용매에 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물의 제조방법
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12
청구항 2의 구조식 (II)로 표시되는 단량체의 단독중합, 또는 말레산 무수물과 함께 공중합체를 제조하는 단계; 및 상기 중합체와 광산발생제를 용매에 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물의 제조방법
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13
청구항 2의 구조식 (II)로 표시되는 단량체와, 지방족 고리형 탄화수소 또는 지방족 락톤구조를 구조내 포함하는 아크릴레이트나 메타크릴레이트 단량체를 혼합하여 중합체를 제조하는 단계; 및 상기 중합체와 광산발생제를 용매에 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물의 제조방법
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14
제 6항, 제 8항, 제 10항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 광산발생제는 상기 중합체에 대해 0
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15
제 11항 내지 13항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서, 용매는 상기 중합체에 대해 10 내지 1000 중량％ 비율로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제조방법
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16
포토레지스트 패턴형성방법에 있어서, (a) 제 6항, 제 8항, 제 10항에서 선택되는 어느 한 항의 포토레지스트 조성물을 기판상에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계; (b) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; (c) 상기 노광된 결과물을 열처리하는 단계; 및 (d) 상기 단계 c의 결과물을 현상하여 원하는 패턴을 얻는 단계를 포함함을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴형성방법
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17
제 16항에 있어서, 상기 열처리 공정은 90∼140℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴형성방법
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18
제 16항에 있어서, 상기 노광 공정은 광원으로서 원자외선, F2, Extreme UV, e-빔, X선, 이온빔을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴형성방법
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19
제 16항의 방법에 의하여 제조된 반도체 소자
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19
제 16항의 방법에 의하여 제조된 반도체 소자
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