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다음의 단계를 포함하는 나노와이어가 자기장의 방향에 따라 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조방법:(a) 나노와이어 또는 자기성 입자가 결합된 나노와이어를 유기용매에 희석시킨 분산액을, 자기장 발생 장치 상단에 고정된 기질 상에 분산시키는 단계;(b) 상기 기질 상에 분산된 용액에서 유기용매를 증발시켜, 나노와이어를 자기장 안에서 자기장의 방향에 따라 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬시키는 단계; 및(c) 자기장의 방향에 따라 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬된 나노와이어가 자기장이 없는 상태에서도 정렬된 방향으로 고정되게 하기 위하여, 상기 기질 상에 금속을 증착시키는 단계
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제1항에 있어서, 상기 자기성 입자가 결합된 나노와이어는 자기성입자와 나노와이어가 물리 화학적 방법으로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 물리 화학적 방법은, 나노와이어를 산처리하는 방법, 자기성 입자를 환원시키는 방법 및 자기성 입자를 도금시키는 방법으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기성 입자는 철(Fe) 함유 입자인 것을 특징으로 하는 방법
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다음의 단계를 포함하는 나노와이어가 전기장 발생방향으로 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조 방법; (a) 나노와이어를 유기용매에 희석시킨 분산액을, 전기장 발생 장치 상단에 고정된 기질 상에 분산시키는 단계;(b) 상기 기질 상에 분산된 용액에서 유기용매를 증발시켜, 나노와이어를 전기장 안에서 기질 상에 전기장 발생방향에 따라 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬시키는 단계; 및(c) 상기 전기장 발생방향에 따라 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬된 나노와이어가 전기장이 없는 상태에서도 정렬된 방향으로 고정되도록 하기 위하여, 상기 기질 상에 금속을 증착시키는 단계
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제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전기장 발생 장치는 전계(electric field)인 것을 특징으로 하는 방법
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제6항에 있어서, 상기 전계(electric field)의 전기장은 1~50 V/mm인 것을 특징으로 하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 (a) 단계는 용매 분산 보조제를 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 분산보조제는 유기용매인 TOAB(tetra otylammonium bromide), 계면활성제인 Triton X-100 및 SDS(sodium dodecylsurfate)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 나노와이어를 유기용매에 희석시킨 분산액을 기질 상에 분산시키는 방법은 스핀코팅 방법, 스프레이 방법, 딥코팅 방법 및 잉크젯 방법으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계 및 (b)단계를 5~1000회 반복하여, 나노와이어의 밀도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 용매는 물(H2O), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 사이클로헥사논, 에틸알콜, 클로로포름, 디클로로메탄 및 에틸에테르로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기질은 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass), 유리, 수정(quartz), 글래스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 응용실리카, 플라스틱 및 투명 고분자로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노와이어의 분산액의 농도는 0
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 용매를 온도를 50~150℃로 올려 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 기질 상에 분산시키는 나노와이어의 양은 1pg/cm2~1g/cm2인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (c) 단계의 금속은 1~5000nm로 증착하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (c) 단계의 금속은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 카드뮴(Cd), 철(fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 아연(Zn) 및 구리(Cu)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 내지 제18항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고, 금속이 증착된 기질상에 자기성 입자가 결합된 나노와이어가 자기장 방향에 따라 수평, 수직 또는 수평과 수직 사이의 임의의 각으로 정렬된 전계방출 에미터 전극
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