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(a) 비솔더 범프(113)가 형성된 웨이퍼(100) 상부에 절연 고분자 수지, 경화제 및 유기용매를 포함하는 비전도성 혼합용액을 도포하고 건조하여 비전도층(115)을 형성하는 단계;(b) 상기 비전도층(115) 상부에 절연 고분자 수지, 경화제, 유기용매 및 도전성 입자를 포함하는 전도성 혼합용액을 도포하고 건조하여 이방성전도층(116)을 형성하는 단계; (c) 상기 비전도층(115) 및 이방성전도층(116)이 형성된 웨이퍼를 절단하여 개별 반도체칩(200)을 제조하는 단계; 및(d) 상기 반도체칩(200)을 기판(300)의 전극(310)과 정렬하여 플립칩 접속하는 단계;를 포함하는 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계의 상기 비전도층(115)의 두께는 상기 웨이퍼에 형성된 비솔더 범프(113)의 두께보다 두껍거나 동일하여 상기 비전도층에 의해 웨이퍼가 평탄화 되는 것을 특징으로 하는 플립칩 패키지의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 비전도층(115)의 두께는 10 내지 100㎛인 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서, (b) 단계의 상기 이방성전도층(116)의 두께는 상기 기판의 전극(310) 두께와 상기 도전성 입자 중 최대크기를 갖는 입자의 지름을 합한 두께 이상인 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 이방성전도층(116)의 두께는 10 내지 100㎛인 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계 또는 (b) 단계의 상기 절연 고분자 수지는 아크릴 수지, 페녹시 수지, 고무, 에폭시 수지, 폴리이미드수지, 또는 이들의 혼합물인 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계 또는 (b) 단계의 상기 유기용매는 톨루엔, 메틸에틸케톤, 아세톤, 다이메틸포름아마이드, 사이클로 헥산, 또는 이들의 혼합물인 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(b) 단계의 상기 도전성 입자는 금, 은, 니켈, 금속이 코팅된 폴리머, 전도성 고분자, 절연폴리머가 코팅된 금속입자, 또는 이들의 혼합물인 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계의 상기 비전도성 혼합용액은 절연 고분자 수지 100 중량부에 대하여 경화제 100 내지 400 중량부 및 유기용매 25 내지 300 중량부가 혼합된 것을 특징으로 하는 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(b) 단계의 상기 전도성 혼합용액은 절연 고분자 수지의 100 중량부에 대하여 경화제 100 내지 400 중량부, 유기용매 50 내지 200 중량부 및 도전성 입자 10 내지 150 중량부가 혼합된 것을 특징으로 하는 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계 또는 (b) 단계의 상기 건조는 70 내지 80℃에서 건조하여, 유기용매를 휘발시키고, 상기 비전도층(115) 및 상기 이방성전도층(116)을 반경화 상태(B-stage) 초기로 만드는 것을 특징으로 하는 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계의 상기 비전도층(115) 또는 (b) 단계의 상기 이방성전도층(116)은 100 내지 300℃에서 1초 내지 1분에 경화되는 플립칩 패키지의 제조방법
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제 1항에 있어서,(a) 단계 또는 (b) 단계의 상기 도포는 스프레이, 닥터 블레이드, 메니스커스, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 스텐실 프린팅 또는 콤마 롤 코팅으로 수행되는 플립칩 패키지의 제조방법
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