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기판상에 신틸레이터(scintillator)를 증착하는 단계;
상기 신틸레이터 위에 보호막을 증착하는 단계;
상기 보호막 위에 포토레지스트(photoresist)를 도포하는 단계;
소정 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광하고 현상액을 통한 화학처리로 상기 포토레지스트에 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴이 형성된 포토레지스트를 식각 마스크로 한 플라즈마 에칭(plasma etching)을 통해 상기 신틸레이터를 상기 보호막과 함께 식각하여 픽셀화시키는 단계; 및
상기 보호막 위에 남아있는 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 신틸레이터는 그 형성소재가 CsI, CsI(Tl), CsI(Na) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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제 2 항에 있어서,
상기 신틸레이터의 증착은 열기상증착(thermal vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 열기상증착은 기판을 회전시키면서 수행되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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5
제 1 항에 있어서,
상기 보호막은 그 형성소재가 메탈(metal)인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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제 5 항에 있어서,
상기 보호막의 증착은 전자빔증착(electron beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 열증착(thermal evaporation) 중 어느 하나를 이용하는 물리적 기상증착(PVD: physcial vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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7
제 1 항에 있어서,
상기 포토레지스트의 제거는 산소 플라즈마 에칭(oxygen plasma etching)을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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8
제 1 항에 있어서,
상기 보호막 위에 남아있는 포토레지스트를 제거한 후, 상기 신틸레이터의 상부 및 노출된 측면을 커버하는 반사막을 증착하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 반사막은 그 형성소재가 메탈인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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10
제 8 항에 있어서,
상기 반사막과 상기 보호막의 형성소재가 이종인 경우, 상기 반사막을 증착하기에 앞서 상기 보호막을 제거하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터의 신틸레이터 제조방법
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