| 1 |
1
(a)실리콘 기판 상부에 메쉬 형태를 가지는 촉매금속 박막과 상기 촉매금속 박막 상부에 실리사이드 형성금속 박막이 적층된 패턴구조가 형성되는 단계;(b)금속 촉매 식각 공정에 의해 상기 실리콘 기판에서 수직 실리콘 나노선이 제작되는 단계; 및(c)상기 실리사이드 형성금속 박막이 열처리 공정에 의해 실리콘 반응을 일으켜 실리사이드를 형성시키는 단계를 포함하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 메쉬 형태를 가지는 촉매금속 박막 또는 상기 실리사이드 형성금속 박막은 촉매금속인 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 메쉬 형태를 가지는 촉매금속 박막 또는 상기 실리사이드 형성금속 박막은 티타늄(Ti), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 티타늄, 코발트, 니켈 또는 텅스텐이 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt)을 포함하는 촉매 금속에 의해 재증착 또는 캐핑됨에 따라 상기 실리사이드 형성금속 박막이 상기 금속 촉매 식각 공정 중 HF 용액에 의해 식각되는 것을 방지시켜 주는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매 식각 공정시, 상기 수직 실리콘 나노선의 길이가 HF 용액과 H2O2를 혼합한 식각 수용액의 농도와 시간에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 촉매 금속 박막과 실리사이드 형성 금속 박막이 물리 기상 증착 또는 화학 기상 증착 방법에 의해 상기 패턴구조에 적층되는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 실리사이드가 상기 열처리 공정에 의해 형성되는 과정에 있어서,열처리 온도 및 열처리 시간에 따라, 상기 실리사이드 형성금속 박막과 상기실리콘 기판 간의 접촉 저항값 및 상기 실리사이드의 상변화가 조절되는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 이용한 하부전극 형성방법
|
| 8 |
8
실리콘 기판 상부에 메쉬 형태를 가지는 촉매금속 박막과 상기 촉매금속 박막 상부에 실리사이드 형성금속 박막이 적층된 패턴을 구비하는 패턴구조;금속 촉매 식각 공정을 통해 상기 실리콘 기판상에 제작되는 수직 실리콘 나노선; 및상기 실리사이드 형성금속 박막을 열처리 공정을 통해 실리콘 반응을 일으킴에 따라 형성된 실리사이드를 포함하는 수직 실리콘 나노선을 구비한 하부전극
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 수직 실리콘 나노선은 III-V족 화합물 (GaAs, InP) 또는 Ⅳ족 조합물(SiGe)로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 구비한 하부전극
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은,SOI(Silicon On Insulator)의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 구비한 하부전극
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서, 상기 패턴구조는,포토리소그라피(Photolithography), AAO(Anodic Aluminum Oxide), Block Copolymer 공정 중 선택된 하나를 통해 패터닝을 실시함으로써, 적어도 하나의 홀을 포함하는 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 구비한 하부전극
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 상기 패턴구조는,고리 형태 또는 라인 형태 중 적어도 어느 하나 이상의 형태를 포함하는 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 실리콘 나노선을 구비한 하부전극
|
