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황화카드뮴 막의 제조방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015114681
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다.
Int. CL H01L 31/0256 (2006.01)
CPC H01L 31/03925(2013.01) H01L 31/03925(2013.01) H01L 31/03925(2013.01)
출원번호/일자 1020000026610 (2000.05.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0372752-0000 (2003.02.05)
공개번호/일자 10-2001-0105017 (2001.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20030217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.05.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시유성구
2 박종호 대한민국 대전광역시유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시유성구
4 김보현 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-0099477-33
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0094257-50
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-5126633-02
4 의견서
Written Opinion		 2002.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0158708-83
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0158709-28
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0403316-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

CBD법을 사용하여 CdS 박막을 제조함에 있어서, 기판을 가열하는 열원을 기판상부에 설치하여 기판을 가열함으로써 용액 중에 함유된 Cd 이온과 S 이온이 기판에서만 반응하여 불균일 핵생성을 통한 CdS 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 막의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 용액의 온도는 40-70℃의 온도로 유지하고, 기판의 온도는 100-150℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 기판 및 열원을 회전시켜 기판에서의 CdS막 증착 속도 및 막질의 양호함을 증가시키는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 막의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서, 기판을 미리 100-200℃의 온도로 가열한 후 용액내부로 주입하여 기판과 접한 용액에서만 Cd 이온과 S 이온을 반응시켜 CdS 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 막의 제조방법

5 5

제 1항에 있어서, 용액이 담긴 용기 외부에 초음파 진동기를 설치하여 발생된 초음파를 용액으로 전달시킴으로써 용액 중에서 형성된 CdS 입자가 기판 상에서의 흡착을 억제하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 막의 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 용액 외부에 종래 CBD법에서 사용되었던 오일 히터(oil heater)로 용액의 온도를 미리 40-60℃까지 가열한 후 CdS막을 증착시킴으로써 실제 공정시간을 감소시키고, 용액 중 CdS 입자의 생성을 억제하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 막의 제조방법

7 7

용기하부에 용액을 고루 교반하는 스티러, 기판을 지지하는 기판홀더, 기판을 가열하는 열원, 기판의 온도를 측정하기 위한 열전대, 용액의 온도를 측정하기 위한 열전대 및 용액이 담지된 용기의 덮개를 구비하는 CdS 박막 제조장치에 있어서, 기판홀더(8)에 의해 지지되는 기판(7)의 상부에 열원(6)을 구비하는 한편 열원(6)에 의해 장치상부가 가열되는 것을 억제하기 위해 열원(6) 위에 유리솜(5)을 구비한 것을 특징으로 황화카드뮴 막의 제조장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.