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대면적 나노스케일 패턴형성방법

  • 기술번호 : KST2015115094
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 보호층으로 격리된 다층의 메인 박막을 형성하는 1단계와 제1메인박막을 패터닝하여 제1메인 패턴을 형성하는 2단계, 상기 제1메인패턴을 기준으로 제1스페이서패턴을 형성하는 3단계, 상기 제1스페이서패턴을 제2메인박막에 전사하여 제2메인패턴을 형성하는 4단계를 포함하여 구성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법을 제공할 수 있도록 한다.본 발명에 따르면, 이종(異種)의 보호막으로 격리되어 다층 중첩된 메인 박막을 사용하여, 패턴 피치를 저감할 수 있는 스페이서 리소그라피를 반복적으로 시행할 수 있어, 마이크로미터 스케일의 패턴을 형성한 후 형태의 왜곡 없이 반복적으로 패턴 피치를 줄여나감으로써, 나노미터 스케일의 미세 패턴을 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 구현할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020100129255 (2010.12.16)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1225601-0000 (2013.01.17)
공개번호/일자 10-2012-0067707 (2012.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.16)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영재 대한민국 서울특별시 중구
2 유경종 대한민국 서울특별시 중구
3 김진수 대한민국 서울특별시 중구
4 이준 대한민국 서울특별시 중구
5 이용인 대한민국 서울특별시 중구
6 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
7 연정호 대한민국 대전광역시 유성구
8 이주형 대한민국 대전광역시 유성구
9 이정언 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0831155-64
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0030253-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0082632-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0767047-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0156838-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0156837-63
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0487364-90
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0848587-30
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0848585-49
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0015516-86
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
보호층으로 각 층이 격리되고, 실리콘 재질로 이루어진 다층의 메인 박막을 형성하고,제1메인박막을 패터닝하여 제1메인패턴을 형성하고,상기 제1메인패턴을 기준으로 제1스페이서패턴을 형성하고,상기 제1스페이서패턴을 제2메인박막에 전사하여 제2메인패턴을 형성하고,패턴피치저감 공정을 적어도 1회 이상 반복하되,상기 제1메인박막을 패터닝하여 제1메인패턴을 형성하는 공정은,포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제1메인박막 상부의 제1보호층과 제1메인박막을 식각하고, 상 제1보호층을 제거하여 제1메인패턴을 구현하는 것을 포함하여 이루어지고,상기 패턴피치저감 공정은,상기 제2메인패턴을 기준으로 제2스페이서패턴을 형성하고, 상기 제2스페이서패턴을 제3메인박막에 전사하여 제3메인패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 보호층으로 격리된 다층의 메인 박막을 형성하는 공정은,적어도 1 이상의 층으로 교차 증착된 구조로 형성되는 대면적 나노스케일 패턴 형성방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 보호층은,실리콘질화막 또는 실리콘산화막으로 형성하는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 3에 있어서,상기 제1메인패턴을 기준으로 제1스페이서패턴을 형성하는 공정은,상기 제1메인패턴 상에 스페이서 층을 형성하고,상기 스페이서 층의 상부를 수직식각하여 상기 제1메인패턴의 상부를 노출시키고,상기 제1메인패턴을 제거하여 제1스페이서패턴을 형성하는 것을 포함하는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 제1메인패턴 상에 스페이서 층을 형성하는 공정은, 증착공정을 통해 구현되며,상기 스페이서 층의 상부를 수직식각하여 상기 제1메인패턴의 상부를 노출하는 공정은, 건식식각공정을 통해 구현되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 스페이서층은 상기 보호층과 동일한 물질로 형성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
10 10
청구항 3에 있어서,상기 제2메인패턴을 형성하는 공정은,상기 제1스페이서패턴 하부에 노출된 제2보호층을 식각하여, 상기 제2메인박막을 노출시키고,상기 제1스페이서패턴 또는 상기 제2보호층을 마스크로 하여 노출된 제2메인박막을 수직 식각하고,상기 제1스페이서패턴 또는 상기 제2보호층을 제거하여 상기 제2메인패턴을 형성하는 것을 포함하여 구성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 제2메인패턴을 기준으로 제2스페이서패턴을 형성하는 공정은,상기 제2메인패턴 상에 스페이서로 사용될 물질을 증착하고,상기 스페이서물질을 건식 식각 공정을 통하여 수직 식각하고,상기 제2메인패턴을 제거하여 상기 제2스페이서패턴을 형성하는 것을 포함하여 구성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
12 12
청구항 10에 있어서,상기 제2메인패턴을 기준으로 제2스페이서패턴을 형성하는 공정은,상기 제2스페이서패턴을 마스크로 하여 하부에 노출된 제3보호층을 식각하고,상기 제2스페이서패턴 또는 상기 제2보호층을 마스크로 하여 제3메인박막을 패터닝하여 제3메인패턴을 형성하고,상기 제2스페이서패턴 또는 상기 제2보호층을 제거하는 것을 포함하여 구성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
13 13
청구항 1에 있어서,상기 제1메인패턴을 기준으로 제1스페이서패턴을 형성하는 공정은,상기 제1메인패턴을 산화시켜 상기 제1메인패턴의 측면에 측면스페이서패턴을 형성하고,상기 측면스페이서패턴 중심부의 제1메인패턴을 제거하는 것을 포함하여 구현되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 제1스페이서패턴을 제2메인박막에 전사하여 제2메인패턴을 형성하는 공정은,상기 측면스페이서패턴 하부에 노출된 제2보호층을 식각하여, 상기 제2메인박막을 노출시키고,상기 측면스페이서패턴 또는 상기 제2보호층을 마스크로 하여 노출된 상기 제2메인박막을 수직 식각하고,상기 측면스페이서패턴 또는 상기 제2보호층을 제거하여 상기 제2메인패턴을 형성하는 것을 포함하여 구현되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
15 15
청구항 13 또는 14에 있어서,상기 패턴피치저감 공정은,상기 제2메인패턴의 측면을 산화하여 상기 제2스페이서패턴을 형성하고, 상기 제2스페이서패턴을 상기 제3메인박막에 전사하여 상기 제3메인패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
16 16
청구항 1 또는 13에 있어서,상층부의 제1메인패턴의 주기는, 하층부에 형성될 제2메인패턴의 주기의 2배가 되도록 구현하는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 제1메인패턴의 선폭은,제2메인패턴 사이의 거리와 일치하도록 하는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
18 18
청구항 16에 있어서,상기 제1메인패턴 사이의 거리는,상기 제2메인패턴 선폭의 두 배 이상으로 형성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법
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