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전광물질을 이용한 테라헤르츠 광섬유 일점 검출장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115726
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전광물질을 이용한 테라헤르츠 광섬유 일점 검출장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 테라헤르츠파 검출 장치는 일 측면이 수직으로 절단된 광 섬유; 및 광 섬유의 일 측면에 부착되는 텔루륨화아연(ZnTe, Zinc Telluride) 박막을 포함하고, 텔루륨화아연 박막에 의해 반사되는 펨토초 레이저 펄스의 위상지연 정도를 이용하여 테라헤르츠 전자기파를 검출할 수 있다.
Int. CL G01N 21/27 (2006.01) G01R 29/08 (2006.01)
CPC G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01)
출원번호/일자 1020120009146 (2012.01.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1341706-0000 (2013.12.09)
공개번호/일자 10-2013-0087901 (2013.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20131216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안재욱 대한민국 대전 유성구
2 이민우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0076570-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0016368-00
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0170898-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0413425-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0413424-62
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0670347-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일 측면이 수직으로 절단된 광 섬유; 및상기 광 섬유의 상기 일 측면에 부착되는 텔루륨화아연(ZnTe, Zinc Telluride) 박막을 포함하고,상기 텔루륨화아연 박막에 의해 반사되는 펨토초 레이저 펄스의 위상지연 정도를 이용하여 테라헤르츠 전자기파가 검출되며,상기 텔루륨화아연 박막은,상기 광섬유의 일 측면에 상기 펨토초 레이저 펄스가 투과하는 광 에폭시(optical epoxy)를 이용하여 텔루륨화아연 단결정을 부착한 후 상기 텔루륨화아연 단결정을 광 폴리싱(optical polishing)하는 방식, 또는 상기 펨토초 레이저 펄스가 투과하는 광 에폭시(optical epoxy)에 텔루륨화아연 단결정을 부착한 후 상기 광 에폭시에 부착된 상기 텔루륨화아연 단결정을 상기 광섬유의 일 측면에 부착하는 방식에 의해 부착되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 검출 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 텔루륨화아연 박막은,상기 펨토초 레이저 펄스에 대해 위상지연 효과인 포켈스 효과(Pockels effect)가 발생하는 최소 두께 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 검출 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 광 섬유와 상기 텔루륨화아연 박막 간에 상기 펨토초 레이저 펄스를 평행광으로 만들어주기 위해 상기 광 섬유의 일 측면과 상기 텔루륨화아연 박막 사이에 위치하는 광학계를 더 포함하는 테라헤르츠파 검출 장치
4 4
일 측면이 수직으로 절단된 광 섬유;상기 광 섬유의 상기 일 측면에 부착되는 텔루륨화아연(ZnTe, Zinc Telluride) 박막; 및상기 광 섬유의 상기 일 측면과 상기 텔루륨화아연 박막 사이에 위치하는 광투과 기판을 포함하고,상기 텔루륨화아연 박막에 의해 반사되는 펨토초 레이저 펄스의 위상지연 정도를 이용하여 테라헤르츠 전자기파가 검출되며,상기 텔루륨화아연 박막은,상기 광섬유의 일 측면에 상기 펨토초 레이저 펄스가 투과하는 광 에폭시(optical epoxy)를 이용하여 텔루륨화아연 단결정을 부착한 후 상기 텔루륨화아연 단결정을 광 폴리싱(optical polishing)하는 방식, 또는 상기 펨토초 레이저 펄스가 투과하는 광 에폭시(optical epoxy)에 텔루륨화아연 단결정을 부착한 후 상기 광 에폭시에 부착된 상기 텔루륨화아연 단결정을 상기 광섬유의 일 측면에 부착하는 방식에 의해 부착되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 검출 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 광투과 기판은,상기 광 섬유의 상기 일 측면과 상기 텔루륨화아연 박막의 거리를 조절하여 상기 광 섬유를 통해 상기 텔루륨화아연 박막으로 전달되는 상기 펨토초 레이저 펄스의 빔 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 검출 장치
6 6
제4항에 있어서,텔루륨화아연의 노출을 막기 위해 상기 텔루륨화아연 박막의 노출 면을 덮는 텔루륨화아연 커버를 더 포함하는 테라헤르츠파 검출 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 텔루륨화아연 커버는,상기 테라헤르츠 전자기파가 투과되는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 검출 장치
8 8
제6항에 있어서,상기 텔루륨화아연 커버는,테플론(Teflon)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 검출 장치
9 9
삭제
10 10
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12 12
테라헤르츠파 검출기를 제조하는 방법에 있어서,광 섬유의 일 측면을 수직으로 절단하는 단계; 및상기 광 섬유의 상기 일 측면에 텔루륨화아연(ZnTe, Zinc Telluride) 박막을 부착하는 단계를 포함하고,상기 테라헤르츠파 검출기에서는 상기 텔루륨화아연 박막에 의해 반사되는 펨토초 레이저 펄스의 위상지연 정도를 이용하여 테라헤르츠 전자기파가 검출되며상기 텔루륨화아연 박막을 부착하는 단계는,상기 광섬유의 일 측면에 상기 펨토초 레이저 펄스가 투과하는 광 에폭시(optical epoxy)를 이용하여 텔루륨화아연 단결정을 부착하는 단계; 및상기 텔루륨화아연 단결정을 광 폴리싱(optical polishing)하는 단계를 포함하는 테라헤르츠파 검출기의 제조 방법
13 13
테라헤르츠파 검출기를 제조하는 방법에 있어서,광 섬유의 일 측면을 수직으로 절단하는 단계; 및상기 광 섬유의 상기 일 측면에 텔루륨화아연(ZnTe, Zinc Telluride) 박막을 부착하는 단계를 포함하고,상기 테라헤르츠파 검출기에서는 상기 텔루륨화아연 박막에 의해 반사되는 펨토초 레이저 펄스의 위상지연 정도를 이용하여 테라헤르츠 전자기파가 검출되며상기 텔루륨화아연 박막을 부착하는 단계는,상기 펨토초 레이저 펄스가 투과하는 광 에폭시(optical epoxy)에 텔루륨화아연 단결정을 부착하는 단계; 및상기 광 에폭시에 부착된 상기 텔루륨화아연 단결정을 상기 광섬유의 일 측면에 부착하는 단계를 포함하는 테라헤르츠파 검출기의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 지식경제기술혁신사업/산업원천기술개발사업 주파수빗 기술 기반 Terahertz/NIR 복합 고속 분광 내시경 개발
2 교육과학기술부 한국과학기술원 기초연구사업 / 선도연구센터육성사업(이공학분야) THz integrated module 개발
3 교육과학기술부 한국과학기술원 교육인력양성사업 / 세계수준의 연구센터(WCI)육성사업 테라헤르츠 편광 제어기술 개발