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수은 센서

  • 기술번호 : KST2015116754
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은, 측정 범위, 사용 의 용이성, 부피 감소 등의 다양한 측면에 있어서 기존 연구의 한계점을 극복할 수 있도록, 그래핀(graphene) 및 금으로 이루어진 간단한 구조를 가지면서도, 1나노몰 수준의 저농도 수은을 검출해 낼 수 있는 수은 센서를 제공함에 있다.
Int. CL G01N 27/08 (2006.01) G01N 27/02 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130159142 (2013.12.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1533954-0000 (2015.06.30)
공개번호/일자 10-2015-0071972 (2015.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20150707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수현 대한민국 대전 유성구
2 이승호 대한민국 대전 유성구
3 정원석 대한민국 대전 유성구
4 이민구 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1164369-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0003988-62
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-5002869-44
8 등록결정서
Decision to grant
2015.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0285517-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1방향 및 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 펼쳐지는 2차원 평면 형태의 기판(110);상기 기판(110) 상에 제1방향으로 서로 이격 배치되는 한 쌍의 전극(120);제1방향의 양단이 한 쌍의 상기 전극(120)에 접촉하도록 상기 기판(110) 상에 배치되는 그래핀(130);제2방향으로 연장되며 상기 그래핀(130)의 제1방향 중간 부분에 배치되는 금선(135);제1방향으로 연장되며 상기 그래핀(130)에 상응하는 위치를 포함하는 위치에 배치되는 홈 형태로 이루어지는 마이크로채널(145)이 하부에 형성되며, 상기 전극(120), 상기 그래핀(130) 및 상기 금선(135)이 배치된 상기 기판(110) 상부를 덮도록 배치되는 실링부(140);를 포함하여 이루어져,상기 마이크로채널(145)을 통해 제1방향으로 흐르도록 유통되는 검사대상유체에 포함된 수은 이온과 상기 그래핀(130) 및 상기 금선(135)의 상호작용에 의하여 발생되어 한 쌍의 상기 전극(120)에서 검출되는 전기 신호를 사용하여 검사대상유체 내의 수은 이온의 농도를 측정하는 것을 특징으로 하는 수은 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금선(135)은폭이 수십 μm 범위로 형성되며, 깊이가 수십 nm 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 수은 센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 전극(120)은크롬 또는 금 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수은 센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 실링부(140)는PDMS 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수은 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 수은 센서(100)는상기 그래핀(130)의 제1방향 일측으로 검사대상유체를 공급하는 공급로(151), 상기 그래핀(130)의 제1방향 타측에 구비되어 제1방향을 따라 상기 그래핀(130) 위를 흘러간 검사대상유체를 배출하는 배출로(152), 상기 공급로(151) 또는 상기 배출로(152) 중 선택되는 적어도 어느 하나에 구비되어 검사대상유체를 유통시키는 주입펌프(153)를 포함하여 이루어지는 유체유통부(150);를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수은 센서
6 6
제 1항의 수은 센서(100)를 제작하는 방법에 있어서,상기 기판(110)이 배치되는 단계;상기 기판(110) 상에 한 쌍의 상기 전극(120)이 패터닝되는 단계;한 쌍의 상기 전극(120) 사이에 상기 그래핀(130)이 전사되는 단계;상기 전극(120) 및 상기 그래핀(130) 위에 포토레지스트가 도포되는 단계;상기 그래핀(130)의 중간 부분 위치에 상기 그래핀(130) 및 상기 기판(110)이 에칭되어 제2방향으로 연장되는 선형 홈이 형성되는 단계;상기 선형 홈 내에 금이 증착되어 채워짐으로써 상기 금선(135)이 형성되는 단계;상기 포토레지스트가 제거되는 단계;상기 실링부(140)가 상기 전극(120), 상기 그래핀(130) 및 상기 금선(135)을 덮도록 배치되어 고정되는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수은 센서의 제작 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.