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제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 금속의 변형을 방지하기 위해 과산화티탄스트론늄을 증착시킨 보완 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판
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청구항 1에 있어서, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판
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결정의 성장방향이 제 1 결정방향인 이트리아 안정화 지르코니아의 상부에 강한 수용성을 갖는 물질을 상기 제 1 결정방향으로 결정이 성장되도록 증착하는 제 1 공정과; 상기 제 1 공정을 통하여 증착되어진 물질의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정이 성장되도록 과산화티탄스트론늄을 증착하여 완충 층으로 사용하는 제 2 공정과; 상기 제 2 공정을 통하여 증착되어진 과산화티탄스트론늄의 상부에 고 전도성을 갖는 금속을 증착하여 완충 층의 지지층으로 사용하는 제 3 공정; 및 상기 완충 층과 상기 이트리아 안정화 지르코니아와 분리하는 제 4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 제 3 공정에서 제 4 공정으로 진행되는 가운데, 상기 제 3 공정을 통하여 완충 층의 상부에 증착되어진 금속의 상부면에 상기 과산화티탄스트론늄을 증착하여 상기 금속의 변형을 방지하기 위한 보완층으로 사용하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 제 1 공정에서 수용성을 갖는 물질을 증착시킬때 알카리 토금속에 속하는 임의의 원소와 산소가스를 고온증발(thermal evaporation) 방식을 통하여 상기 알카리 토금속의 산화막을 형성시켜 증착시키는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 알카리 토금속에 속하는 임의의 원소를 바륨으로 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 알카리 토금속에 속하는 임의의 원소를 칼슘으로 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 과산화티탄스트론늄은 고주파 스퍼트링 방식을 통해 증착되어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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9
청구항 3에 있어서, 상기 금속은 백금을 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 금속은 고주파 스퍼트링 방식을 통해 증착되어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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11
청구항 3에 있어서, 상기 제 1 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 제 4 공정은 제 3 공정까지의 과정을 통하여 형성되어진 구조물중 제 1 공정에서 이트리아 안정화 지르코니아의 상부에 증착되어 있는 수용성을 갖는 물질을 물에 녹임으로써 제 2 공정 내지 제 3 공정을 통하여 형성된 구조물을 상기 이트리아 안정화 지르코니아와 분리시키는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장용 금속기판의 제조 방법
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13
청구항 3 내지 청구항 12에 따른 제조방법에 의하여 청구항 1에 따른 구조를 갖는 고온 초전도체 성장용 금속기판을 사용하여 완층증 상부에 고온 초전도체를 성장하는 경우 직류 스퍼트링 방식에 의하여 고온 초전도체의 증착이 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 성장 방법
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