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나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법 및 그마스크를 이용한 나노 구조물 제조 방법

기술번호 : KST2015116985
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법 및 그에 따라 제조된 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크를 통하여 나노 구조물을 제조하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법은 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와, 실리콘 산화막에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 상부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와, 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계와, 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 형상에 제한이 없이 마이크로미터 단위로 식각된 마스크에 실리콘 질화물을 저압화학 기상증착함에 의하여 나노단위 크기의 마스크를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 나노구조물 제조시마다 감광제를 별도로 사용하지 않은 상태에서 증착에 의하여 나노구조물을 제조할 수 있다. 나노, 쉐도우 마스크, 저압화학 기상증착, 실리콘 질화막, 증착
Int. CL	G03F 1/80 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) G03F 1/68 (2006.01) B82Y 40/00 (2006.01)
CPC	H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01)
출원번호/일자	1020050003459 (2005.01.13)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-0690012-0000 (2007.02.26)
공개번호/일자	10-2006-0082740 (2006.07.19) 문서열기
공고번호/일자	(20070308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.01.13)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김용철	대한민국	대전 유성구
2	이승섭	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인다인	대한민국	경기도 화성시 동탄기흥로* 더퍼스트타워쓰리제층 제**호, 제*-호

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2005-0020467-31
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.03.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2006-0026439-91
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0312040-57
5	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2006.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0477347-37
6	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2006.09.19	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2006-0030949-45
7	등록결정서 Decision to grant	2006.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0700514-32
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와; 상기 실리콘 산화막에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와; 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 상기 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계와; 상기 실리콘 기판의 하부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와; 상기 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 상기 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계와; 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계로 구성된 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는, 상기 구조물 형상 사이의 간격을 나노크기 단위로 줄이도록 저압화학 기상증착하는 시간을 조절하는 단계를 더 포함하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계는, 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 복수의 행렬로 구성된 전극형 구조물로 식각하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
4	4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계는, 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 미세 직선형 전극형 구조물로 식각하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
5	5 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 상기 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계는,상기 실리콘 기판을 수산화 테트라메틸 암모늄 에칭액에 함침시켜 상기 실리콘 기판을 사다리꼴 기둥형으로 습식에칭하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계는,상기 실리콘 기판으로부터 금속잔류물과 유기물을 제거하기 위하여 상기 실리콘 기판을 알씨에이(RCA) 세척하는 단계를 더 포함하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는, 상기 실리콘 질화막의 증착율을 20∼100Å/min으로 유지하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법
8	8 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와, 상기 실리콘 산화막에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 하부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와, 상기 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 상기 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 외부면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계를 포함하는 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크를 제조하는 공정과; 상기 나노 구조물 가공용 세도우 마스크를 가공용 기판에 정렬시켜 상기 구조물 제조용 재료를 기판상에 증착시키는 공정으로 구성되는 나노 구조물 제조 방법
9	9 제 8항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는, 상기 구조물 형상 사이의 간격을 나노크기 단위로 줄이도록 저압화학 기상증착하는 시간을 조절하는 단계를 더 포함하는 나노 구조물 제조 방법
10	10 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계는, 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 복수의 행렬로 구성된 전극형 구조물로 식각하는 나노 구조물 제조 방법
11	11 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계는, 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 미세 직선형 전극형 구조물로 식각하는 나노 구조물 제조 방법
12	12 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 상기 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계는,상기 실리콘 기판을 수산화 테트라메틸 암모늄 에칭액에 함침시켜 상기 실리콘 기판을 사다리꼴 기둥형으로 습식에칭하는 나노 구조물 제조 방법
13	13 제 8항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계는,상기 실리콘 기판으로부터 금속잔류물과 유기물을 제거하기 위하여 상기 실리콘 기판을 알씨에이(RCA) 세척하는 단계를 더 포함하는 나노 구조물 제조 방법
14	14 제 8항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는, 상기 실리콘 질화막의 증착율을 20∼100Å/min으로 유지하는 나노 구조물 제조 방법
15	14 제 8항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는, 상기 실리콘 질화막의 증착율을 20∼100Å/min으로 유지하는 나노 구조물 제조 방법

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특허 등록번호	10-0690012-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20050113 출원 번호 : 1020050003459 공고 연월일 : 20070308 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061124 청구범위의 항수 : 14 유별 : G03F 1/08 발명의 명칭 : 나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법 및 그마스크를 이용한 나노 구조물 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120227

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	418,500 원	2007년 02월 27일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2010년 02월 01일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2011년 02월 01일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2005-0020467-31
2	선행기술조사의뢰서	2006.03.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2006-0026439-91
4	의견제출통지서	2006.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0312040-57
5	거절결정서	2006.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0477347-37
6	명세서 등 보정서(심사전치)	2006.09.19	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2006-0030949-45
7	등록결정서	2006.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0700514-32
8	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


과제고유번호	1350010684
세부과제번호	2006-04781
연구과제명	X-ray나노쉐도우마스크를이용한높은고폭비의대면적나노구조물및스템퍼공정개발및대량생산
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	한국과학기술원
성과제출연도	2006
연구기간	200610~200709
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020050014298]	저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조방법	새창보기
[1020050003459]	나노 구조물 가공용 쉐도우 마스크 제조 방법 및 그마스크를 이용한 나노 구조물 제조 방법	새창보기

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2006101008298	2006원8298	2005년 특허출원 제0003459호 거절결정불복심판	2006.09.19	2006.11.24

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