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제1반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 제2반도체층이 적층된 구조를 갖는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드로서,상기 금속은 전극의 역할과 동시에 광에너지를 흡수하는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속은 광에너지를 흡수함으로써 표면플라즈몬의 생성을 통해 핫 전자(hot electron)의 생성을 증폭시키는 것을 특징으로 하고, 또한, 상기 금속은 박막금속, 금속나노구조물, 금속나노섬 및 금속나노선으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1반도체층 및 제2반도체층은 각각 산화물 반도체, 4족 반도체 및 화합물 반도체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1반도체층 및 제2반도체층은 각각 티타늄디옥사이드(TiO2), 세리움옥사이드(CeO2), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘카바이트(SiC), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 갈륨포스페이트(GaP) 및 갈륨나이트나이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제2항에 있어서, 상기 금속에 양자점 및 유기염료로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 증착시키는 표면처리를 하는 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제3항에 있어서, 상기 금속에 양자점 및 유기염료로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 증착시키는 표면처리를 하는 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제4항에 있어서, 상기 금속에 양자점 및 유기염료로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 증착시키는 표면처리를 하는 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제5항에 있어서, 상기 금속에 양자점 및 유기염료로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 증착시키는 표면처리를 하는 것을 특징으로 하는 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드
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제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항의 반도체-금속-반도체 적층형 나노다이오드를 포함하는 태양전지
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