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저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118016
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조 방법은 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와, 실리콘 산화막에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 상부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 제조하고자 하는 전극 형상에 따라 식각하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와, 실리콘 기판에서 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 부분을 습식에칭하는 단계와, 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면에서 이격된 지점으로부터 실리콘막 함몰부를 향하여 금속재료를 증착시키는 단계로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 형상의 제약이 없이 나노 전극과 전극 패드를 제조할 수 있다.나노, 실리콘, 저압화학 기상증착, 실리콘 질화막, 증착, 전극, 패드
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/40 (2011.01)
CPC B81C 1/00349(2013.01) B81C 1/00349(2013.01) B81C 1/00349(2013.01)
출원번호/일자 1020050014298 (2005.02.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0590440-0000 (2006.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승섭 대한민국 대전 유성구
2 김용철 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0091751-46
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0259876-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와;상기 실리콘 산화막에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와;상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 상기 실리콘 질화막을 제조하고자 하는 전극 형상에 따라 식각하는 단계와;상기 실리콘 기판의 하부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와;상기 실리콘 기판에서 상기 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 부분을 습식에칭하는 단계와;상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와;상기 실리콘 기판의 하부면에서 이격된 지점으로부터 상기 실리콘막 함몰부를 향하여 금속재료를 증착시키는 단계로 구성되는 나노 전극 구조물 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는,상기 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 시간을 조절하는 나노 전극 구조물 제조 방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 제조하고자 하는 전극 형상에 따라 식각하는 단계는,상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 복수의 행렬로 구성된 전극 형상에 따라 식각하는 나노 전극 구조물 제조 방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상부면에 형성된 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 제조하고자 하는 전극 형상에 따라 식각하는 단계는,상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 미세 직선형 전극 형상에 따라 식각하는 나노 전극 구조물 제조 방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 상기 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계는,상기 실리콘 기판을 TMAH 에칭액에 함침시켜 상기 실리콘 기판을 사다리꼴 기둥형으로 습식에칭하는 나노 전극 구조물 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계는,상기 실리콘 기판으로부터 금속잔류물과 유기물을 제거하기 위하여 상기 실리콘 기판을 RCA 세척하는 단계를 더 포함하는 나노 전극 구조물 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계는,상기 실리콘 질화막의 증착율을 20∼100Å/min으로 유지하는 나노 전극 구조물 제조 방법
8 8
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 하부면에서 이격된 지점으로부터 상기 실리콘막 함몰부를 향하여 금속재료를 증착시키는 단계는,구리, 은 중에서 어느 하나의 금속재료를 증착시키는 나노 전극 구조물 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.