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고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있고, 상기 실린더형 기판 상에는 기판과 고온 초전도 물질과의 격자상수 차이에 따른 부정합을 감소시키고 고온 초전도체 물질의 c축이 실린더 기판의 표면에 대해 수직하게 성장하도록 하는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완층층 위로는 고온 초전도 물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막
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제1항에 있어서, 상기 실린더형 기판은 이트륨으로 안정화된 지르코니아 결정으로 이루어지며, 상기 기판을 이루는 물질의 결정의 한 축은 실린더의 중심축과 나란한 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 완충층은 CeO2 로 이루어지며, 상기 고온 초전도 물질은 Y1Ba2Cu3O7-x 인 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막
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제3항에 있어서, 상기 완충층의 두께는 10Å-20Å 이며, 상기 고온 초전도 물질의 두께는 2000Å 정도인 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막
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제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 고온 초전 물질의 결정축 중 c 축은 기판 표면에 대하여 수직이고, a, b 축은 정렬이 되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막
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제1항에 있어서, 상기 실린더형 기판은 Al2O3로 이루어지며, 상기 Al2O3 결정의 한 축은 실린더의 중심축과 나란하며, 상기 완충층은 MgO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막
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기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 기판은 이트륨으로 안정화된 지르코니아 결정으로 이루어지며, 상기 기판을 실린더 형상으로 가공할 때 기판을 이루는 물질의 결정의 한 축이 실린더의 중심축과 나란하게 되도록 가공하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 완충층은 CeO2를 스퍼터링시켜 증착시키며, 고온 초전도 물질은 Y1Ba2Cu3O7-x를 스퍼터링에 의하여 상기 완충층 위로 증착시키는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조 방법
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제7항 또는 제9항에 있어서, 완충층을 증착시키기 전에 산소 이온 밀링에 의하여 산소 이온을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 완충층은 700℃ - 720 ℃의 온도에서 10Å - 20Å의 두께로 rf 스퍼터링에 의하여 증착시키며, 상기 고온 초전도 물질은 710℃ - 740℃의 온도에서 2000Å 정도의 두께로 d
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제9항에 있어서, 상기 고온 초전도 물질은 열 진공증착방법에 의하여 증착형성되는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 고온 초전도 물질은 레이저 애블레이션방법에 의하여 증착형성되는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법
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