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기판 하면에 하부전극을 형성하고 기판 상에 하부 브래그 반사경층, 활성층, 상부 브래그 반사경층 및 상부전극이 순차적으로 적층되며; 코어부로 이루어진 중앙부와 상기 중앙부를 중심으로하여 둘러싸고 있는 클래드부로 이루어지며 상기 주변부에는 복수 개의 광인도관로가 마련되되, 상기 광인도관로들은 하나의 광인도관로의 중심에서 인접하는 다른 광인도관로의 중심까지의 거리값, 즉 광인도관로 중심 거리값 Λ은 발진 파장의 1∼50배로서 일정한 값을 갖도록 일정한 형상으로 배열되고, 상기 코어부의 직경 a는 0
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기판 하면에 하부전극을 형성하고 기판 상에 하부 브래그 반사경층, 활성층, 상부 브래그 반사경층 및 상부전극이 순차적으로 적층되며; 코어부로 이루어진 중앙부와 상기 중앙부를 중심으로하여 둘러싸고 있는 클래드부로 이루어지며 상기 주변부에는 복수 개의 광인도관로가 마련되되, 상기 광인도관로들은 하나의 광인도관로의 중심에서 인접하는 다른 광인도관로의 중심까지의 거리값, 즉 광인도관로 중심 거리값 Λ들은 발진 파장의 1∼50배이지만 모두 서로 다른 중심 거리값을 갖거나 또는 일부의 광인도관로 중심 거리값만이 동일한 값을 갖도록 배열되고, 상기 코어부의 직경 a는 0
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광도파로 구조는 상기 상부 브래그 반사경층, 활성층 및 하부 브래그 반사경층 중에서 선택된 적어도 하나의 층에 형성되고; 상기 전류 제한 구조는 상기 상부 브래그 반사경층, 활성층 및 하부 브래그 반사경층 중에서 선택된 적어도 하나의 층에 이온 주입하거나 산화막층을 형성함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들의 상기 배열의 형상은 원, 타원 또는 다각형의 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들의 상기 배열은 방사 대칭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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7
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들의 단면은, 원, 타원 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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8
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들의 단면의 크기는, 상기 중앙부에서 멀어질수록 커지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들 각각 길이를, 동일한 길이로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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10
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들 각각 길이를, 상기 중심부에서 멀어질 수록 길게 형성하는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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11
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들 각각의 길이는, 0
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12 |
12
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광인도관로들은 자신의 내부를 공기, 금속, 반도체 물 질, 또는 유기물질로 채우는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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13
제 12항에 있어서, 상기 금속은 Au, AuZn, 또는 AuSn이며, 상기 반도체 물질은 GaAs, AlGaAs, AlAs, InP, InGaAsP, InGaAs, 또는 InAlAs 이고, 상기 유기 물질은 에폭시 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광 레이저
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