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미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015118350
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세 패턴 및 미세 메탈(metal) 라인을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 특히 수천 옹스트롬 이하의 미세 패턴 및 미세 메탈 라인을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 기판위에 제 1물질을 일정 두께로 증착하고, 상기 제 1물질 상부면 일부에 마스킹 물질로 이루어진 마스크를 형성한다. 그리고 에칭방법을 사용하여 마스크가 형성되지 않은 상기 제 1물질을 제거하고, 상기 마스크 하부면의 제 1물질 일단도 에칭하여 마스크 밑으로 일정 깊이의 홈을 형성하며, 상기 제 1물질을 상기 마스크면 상부와 기판 상부면에 재증착하여 상기 홈을 구멍으로 변환시킨다. 이후 상기 마스크와 그 상부면에 재증착된 제1물질을 제거하여 미세 패턴을 형성하고, 형성된 미세 패턴위에 기존의 일반적인 반도체 리소그라피 방법 및 메탈 증착방법을 이용하여 미세 메탈라인을 형성함을 특징으로 한다.미세 패턴, 에칭, 마스크.
Int. CL G03F 1/80 (2006.01) G03F 1/68 (2006.01)
CPC H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01)
출원번호/일자 1020000020911 (2000.04.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0380883-0000 (2003.04.07)
공개번호/일자 10-2001-0097115 (2001.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20030418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.04.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박은현 대한민국 대전광역시유성구
2 양경훈 대한민국 대전광역시유성구
3 권영세 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-0078314-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.03.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.04.23 수리 (Accepted) 9-1-2002-0000488-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0275216-34
5 의견서
Written Opinion		 2002.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0321142-21
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0321141-86
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0107716-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법에 있어서,

반도체 기판위에 제 1물질을 일정 두께로 증착하는 제 1 단계와,

상기 제 1물질 상부면 일부에 마스킹 물질로 이루어진 마스크를 형성하는 제 2 단계와,

에칭방법으로 마스크가 형성되지 않은 상기 제 1물질을 제거하고, 상기 마스크 하부면의 제 1물질 일단도 에칭하여 마스크 밑으로 일정 깊이의 홈을 형성하는 제 3 단계와,

상기 제 1물질을 상기 마스크면 상부와 기판 상부면에 재증착하여 상기 홈을 구멍으로 변환시키는 제 4 단계와,

상기 마스크와 그 상부면에 재증착된 제1물질을 제거하는 제 5 단계와,

상기 홈에 제 2물질을 증착하는 제 6 단계와,

에칭방법을 이용하여 상기 제 2물질 양쪽 및 하부에 위치한 상기 제 1물질을 제거하는 제 7 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제 1단계에서 증착되는 제1물질과 상기 제4단계에서 증착되는 제1물질은 서로 동일한 유전체물질인 것을 특징으로 하는 미세패턴 및 메탈 라인 형성 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제 1단계에서 증착되는 제1물질과 상기 제4단계에서 증착되는 제1물질은 서로 상이한 유전체물질인 것을 특징으로 하는 미세패턴 및 메탈 라인 형성 방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제 1물질은 5

제1항에 있어서, 상기 마스킹 물질로 메탈이나 포토레지스트를 사용함을 특징으로 하는 미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제 2물질로써 전기적 도전성을 가지는 금속을 사용함을 특징으로 하는 미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 제 1물질과 마스킹 물질은 서로 다른 에칭 특성을 가지는 물질로 각각 증착 및 형성됨을 특징으로 하는 미세 패턴 및 메탈라인 형성 방법

8 8

제1항에 있어서, 상기 마스킹 물질 밑으로 에칭되어 파고드는 일정 깊이는 상기 제 1물질의 일정 두께와 상기 제 3단계에서의 에칭시간 및 에칭율에 의해 결정되고, 상기 에칭되어 파고 드는 일정 깊이가 최종적으로 형성되는 미세라인의 폭이 됨을 특징으로 하는 미세 패턴 및 메탈라인 형성 방법

9 9

제1항에 있어서, 상기 제 4단계에서의 제 1 물질 증착시 이-빔 증착 방법을 사용함을 특징으로 하는 미세 패턴 및 메탈라인 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.