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(a) 금속이 담지된 다공성 탄소를 이용하여 독성 음이온을 흡착하는 단계; 및(b) 상기 금속이 담지된 다공성 탄소의 음이온 교환 능력이 포화되면, 이를 환원제를 이용하여 환원시키는 단계;를 포함하고,상기 금속이 담지된 다공성 탄소를 질소화합물로 처리하여 골격의 일부가 질소로 1wt% 내지 30wt% 치환된 것을 특징으로 하는 순환 공정이 가능한 독성 음이온의 제거방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계 이후에 (c) 상기 환원된 금속이 담지된 다공성 탄소를 이용하여 상기 (a) 및 (b) 단계를 순차적으로 반복ㆍ수행하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 독성 음이온은 퍼클로레이트(ClO4-)이온 또는 나이트레이트(NO3-)이온인 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속은 Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, Ir, Pt 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 금속인 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속이 담지된 다공성 탄소는 다공성 탄소 표면에 금속 입자를 0
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 다공성 탄소는 50m2/g 내지 4000m2/g의 비표면적을 가지는 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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삭제
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제 1항에 있어서 상기 질소화합물은 NH3, 요소(urea) 또는 멜라민인 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속이 담지된 다공성 탄소에 양이온성 계면활성제를 흡착하여 개질시키는 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 9항에 있어서 상기 양이온성 계면활성제는 4차 암모늄인 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 공정은 배치(batch) 또는 컬럼(column)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (b) 단계의 환원제는 수소 기체 또는 포름산인 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (b)단계는 20℃ 내지 250℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 (b) 단계의 환원 과정은 건식 또는 습식 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 독성 음이온의 제거방법
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