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실리콘기판상에성장된GAAS에피택셜층의유기금속화학증착법에의한델타-도핑형성방법

  • 기술번호 : KST2015119801
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/02584(2013.01) H01L 21/02584(2013.01) H01L 21/02584(2013.01)
출원번호/일자 1019910011523 (1991.07.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0085920-0000 (1995.06.19)
공개번호/일자 10-1993-0003245 (1993.02.23) 문서열기
공고번호/일자 1019950002178 (19950314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.07.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시영등포구
2 김용 대한민국 서울특별시용산구
3 김무성 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.07.08 수리 (Accepted) 1-1-1991-0065165-38
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.07.08 수리 (Accepted) 1-1-1991-0065166-84
3 특허출원서
Patent Application		 1991.07.08 수리 (Accepted) 1-1-1991-0065164-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0027723-18
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.10.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0065168-75
6 의견서
Written Opinion		 1994.10.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0065167-29
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0027724-64
8 등록사정서
Decision to grant		 1995.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0027725-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘기판위에 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정과, 이 GaAs에피택셜층의 성장을 중단한 상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750℃의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정과, 이후 700-790℃에서 덮개층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 실리콘기판상의 성장된 GaAs에피택셜층의 유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 3㎛이상의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘기판상에 성장된 GaAs에피택셜층의 유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑 형성방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05024978 JP 일본 FAMILY
2 JP06072080 JP 일본 FAMILY
3 US05281551 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1986262 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5024978 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6072080 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH0524978 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0672080 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US5281551 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.