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저온소결고유전율유전체자기조성물과,이조성물을이용하여제조된적층세라믹캐패시터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015120000
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온소결 고유전율 유전체 자기조성물과, 이 조성물을 이용하여 제조된 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유전체 자기조성물은 (1-x)95PMN-x(PT)-y(CuO)-z(PbO)에서 x=4∼6mol%, y=1∼10mol%, z=2∼8mol%의조성을 갖는 것으로, 810℃의 저온에서도 소결이 가능해져 저가의 내부 전극 재료들, 특히 100%의 온(Ag) 또는 니켈(Ni) 및 동 (Cu)과 같은 비금속을 사용할 수 있어 재료비 및 에너지비용이 절감되고, 저온소결에 따른 산화납(PbO)의 휘발이 억제됨으로써 조성의 균일화에 따른 유전특성의 재현성이 우수할 뿐 아니라 산화납의 휘발에 의한 소성로와 대기의 오염을 줄일 수 있으며, 3mol% 이상의 산화동(CuO)을 첨가하여 소결체에서의 2차상의 생성이 억제되어 18,000 이상의 높은 유전율을 얻을 수 있으며, 이러한 유전체를 유전체층으로 사용하는 적층세라믹 캐패시터와 그 제조방법이 제공되는 것이다.
Int. CL C04B 35/493 (2006.01) C04B 35/472 (2006.01)
CPC C04B 35/472(2013.01) C04B 35/472(2013.01) C04B 35/472(2013.01) C04B 35/472(2013.01) C04B 35/472(2013.01) C04B 35/472(2013.01)
출원번호/일자 1019940036442 (1994.12.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0122582-0000 (1997.09.05)
공개번호/일자 10-1996-0022394 (1996.07.18) 문서열기
공고번호/일자 1019970008753 (19970528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대한민국 서울특별시노원구
2 김효태 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164380-07
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164381-42
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164379-50
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091283-79
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091284-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

다음의 조성

(1-x)95PMN-x(PT)-y(CuO)-z(PbO)에서

x=4~6mol%

y=1~10mol%

z=2~8mol%인 것을 특징으로 하는 저온소결 및 고유전율 유전체 자기조성물

2 2

유전체를 제 1 항 범위의 유전체 자기조성물로 하고, 이 유전체에 내부전극 및 외부전극을 형성한 것을 특징으로 하는 적층세라믹 캐패시터

3 3

제 1 항 범위의 유전체 자기조성물의 미분말을 테잎캐스팅하기 위해 슬러리를 제조하는 공정과, 이 슬러리를 쉬트로 만들어 내부전극의 패턴을 인쇄하는 공정과, 이와같이 인쇄된 쉬트를 건조시킨 후 적층하고 압착한 다음에 절단하여 칩을 제조하는 공정과, 미소결 칩의 유기 바인더를 제거하며 예비소결을 실시하는 공정과, 상기 소결된 칩의 모서리 연마공정과, 모서리 연마한 예비소결 칩을 세척하여 외부전극을 형성하는 공정과, 상기의 칩을 적재하여 소성로에서 대기분위기하에 소결하는 공정의 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 적층세라믹 캐피시터의 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 테잎캐스팅용 슬러리 제조 공정에서 슬러리의 조합비는

유전체 분말 : 바인더 솔루션=63

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.