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산화물 후막의 치밀화 공정에 있어서, 기판 위에 산화물 후막을 형성시키고, 상기 산화물 후막을 금속 또는 산화물 부도체 박막으로 인캡슐레이션(encapsulation)시키고, 인캡슐레이션된 산화물 후막을 600 ~ 900℃의 온도에서 20 ~ 3000 기압의 압력으로 가스 가압소결하는 것으로 이루어지며, 상기 가압소결에 의하여 승압에 의한 융점강하 현상으로 일반적인 소결과 비교할 때 낮은 온도에서 소결이 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 후막으로는 실크 스크린 공정으로 형성된 산화물 그린 후막을 디왁싱하여 유기 바인더를 제거한 후의 다공성 성형체를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 가스로는 알곤(Ar)을 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 가스로는 산소와 알곤 혼합 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 가압소결시 내산화성 발열체를 사용하여 열을 공급하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 인캡슐레이션에 금속을 사용하는 경우에는 은-팔라듐 합금, 백금, 구리, 알루미늄 또는 니켈 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제6항에 있어서, 상기 인캡슐레이션 공정은 직류 스퍼터링, 열증착법, 전자선 증착법, 고주파 마그네트론 스퍼터링법, 이온 프레이팅, 전기도금법 또는 무전해 도금법 등에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 인캡슐레이션에 산화물 부도체를 사용하는 경우에는 산화규소계의 산화물 부도체를 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제8항에 있어서, 상기 인캡슐레이션 공정은 저압 화학증착법, 플라즈마 화학증착법, 스핀온 글라스법 또는 고주파 마그네트론 스퍼터링법 등에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항에 있어서, 상기 가압소결 후, 상기 인캡슐레이션된 금속 또는 산화물 부도체 박막을 패턴에칭(pattern etching)하고, 상기 산화물 후막 위에 상부 전극을 형성하는 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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산화물 후막의 치밀화 공정에 있어서, 기판 위에 형성된 산화물 후막과 산화물 후막 위에 형성된 상부 전극을 산화물 부도체 박막으로 인캡슐레이션(encapsulation)시키고, 600 ~ 900℃의 온도에서 20 ~ 3000 기압의 압력으로 가스 가압소결하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제11항에 있어서, 상기 가압소결 후, 상기 인캡슐레이션된 산화물 부도체 박막을 통해 상기 상부 전극 쪽으로 금속 배선을 플러그인하여 상부 전극과 연결하는 금속배선 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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제1항 또는 제11항에 있어서, 여러 개의 시편을 일정 간격으로 적층시키고 동시에 가스 가압소결하는 것을 특징으로 하는 산화물 후막의 치밀화 방법
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