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ＺｎＯ／Ｓｉ 이종접합 광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120733
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이종접합 광다이오드는, 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 산화아연층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 실리콘 기판은 p형 도전성을 가지며, 상기 산화아연층은 n형 도전성을 가지는 것이 바람직하며, 상기 산화아연층은 가시광 투과창 역할을 하도록 3.1 ~ 3.2 eV의 에너지 밴드갭을 가지는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 산화아연층의 산소 : 질소의 당량비는 1 : 1 인 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, ZnO박막의 단일 증착공정을 통해 간단하게 광다이오드를 구현할 수 있게 된다. 또한, ZnO박막의 두께 조절 및 결정성 향상을 통해 양자효율을 50% 까지 향상시킬 수 있다. 광다이오드, ZnO, Si, 이종접합, 투명박막, 양자효율
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 31/109(2013.01) H01L 31/109(2013.01)
출원번호/일자 1020000066143 (2000.11.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0036125 (2002.05.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.11.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종한 대한민국 서울특별시서초구
2 최원국 대한민국 서울특별시양천구
3 정형진 대한민국 서울특별시강남구
4 임성일 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2000-0235177-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2002-0014385-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0379654-24
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0423905-10
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0116647-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 산화아연층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 광다이오드

2 2

제1 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 p형 도전성을 가지며, 상기 산화아연층은 n형 도전성을 가지는 것을 특징으로 하는 이종접합 광다이오드

3 3

제1 항에 있어서, 상기 산화아연층이 3

4 4

제1 항에 있어서, 상기 산화아연층의 산소 : 질소의 당량비가 1 : 1 인 것을 특징으로 하는 이종접합 광다이오드

5 5

금속아연이 스퍼터링 타겟으로 장착되는 스퍼터링 챔버에 실리콘 기판을 장입하고, 상기 실리콘 기판의 온도는 500~600℃이고, 상기 스퍼터링 챔버 내의 아르곤: 산소의 분압비는 4:1 ~ 6:1인 상태에서 상기 실리콘 기판 상에 스퍼터링 방법으로 산화아연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 광다이오드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.