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시료가 장착되는 기판을 내설하는 반응 챔버와; 상기 반응 챔버에 연결되어 플라즈마를 공급하는 ECR 장치와; 상기 반응 챔버에 연결되어 상기 플라즈마에 의하여 이온화되는 유기금속화합물을 공급하는 전구체 공급 장치; 및 이온화된 금속이온과 유기물 이온을 상기 기판위 시료로 유도하여 과포화시키는 유도 장치를 포함하여 구성되며, 상기 유도 장치는 상기 기판 상부 주위에 설치되는 전극과 직류전압을 상기 전극에 인가하는 직류 바이어스 발생 장치를 포함하여 구성되고, 상기 직류 바이어스 발생 장치는 반파형의 음전압으로 전압범위는 -1∼-20kV, 파형주기는 1∼60Hz이고 발생전류는 20∼100mA인 직류 바이어스를 상기 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제1항에 있어서, 상기 전극은 그 전체적 크기와 모양이 박막층이 형성되는 시료의 모양과 크기에 따라 결정되고 그 내부가 그리드 형태인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제1항에 있어서, 상기 전극은 그 전체적 크기와 모양이 박막층이 형성되는 시료의 모양과 크기에 따라 결정되고 그 내부가 그릴 형태인 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제4항에 있어서, 상기 전극의 그릴은 직경 1㎜∼5㎜의 원통형이으로 그릴간 거리가 1㎝∼5㎝가 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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제1항에 있어서, 상기 전극은 1
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제1항에 있어서, 상기 직류 바이어스 발생 장치는 인가되는 교류전압을 변화시키는 변압기, 상기 변압기에서 인가되는 교류전압을 승압시키는 승압기, 상기 승압기에 의하여 승압된 교류 전압을 정류하여 배압시키는 정류기 및 가변 저항기가 순차적으로 연결되어 구성되는 것을 특징으로 하는 상온 화학 증착 시스템
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ECR 장치를 이용하여 입사되는 마이크로파로부터 고에너지 전자를 형성 단계; 상기 ECR 장치의 챔버에 가스 주입하고 상기 고에너지 전자를 이용하여 플라즈마를 형성하는 단계; 반응 챔버에 유기금속화합물 전구체를 공급하고 상기 플라즈마를 이용하여 금속이온과 유기물이온으로 이온화하는 단계; 상기 금속이온과 유기물이온을 직류 음전압에 의하여 전기적으로 시료주위로 유도하여 과포화시켜 화학 증착하는 단계를 포함하여 구성되며, 상기 직류 음전압은 반파형의 음전압으로 전압범위는 -1∼-20kV, 파형주기는 1∼60Hz이고 발생전류는 20∼100mA인 것을 특징으로 하는 금속 복합막 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 단계에서의 공급되는 가스는 산소, 공기, 수소, 아르곤 또는 질소 중에서 선택된 2이상의 가스인 것을 특징으로 하는 금속 복합막 제조 방법
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