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반도체 기판 위에 기판 물질과 격자 불일치를 이루는 층으로서의 유사안정 양자우물층을 자발 형성 양자점이 형성되는 임계 두께 이하로 성장시킨 후 국소적으로 외부 에너지를 인가함으로써 양자점을 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 유사안정 양자우물층은 상기 임계 두께의 60%∼95%로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 유사안정 양자우물층의 두께는 1nm∼50nm인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판 물질은 갈륨비소 또는 인듐인으로 이루어지고, 상기 유사안정 양자우물층은 인듐비소 또는 인듐갈륨비소로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 4항에 있어서, 상기 유사안정 양자우물층의 인듐 몰분율을 성장 방향에 따라 일정하게 하거나 변화를 주어 양자점의 공간적 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 5항에 있어서, 성장 방향에 따른 상기 유사안정 양자우물층의 인듐 몰분율이 직선형, 단일 피크형 곡선 또는 다중 피크형 곡선으로 변하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 6항에 있어서, 상기 인듐 몰분율의 변화 곡선은 상기 유사안정 양자우물층의 성장 시 인듐과 갈륨의 비율을 계단형으로 조절하거나 인듐비소/갈륨비소 초격자의 두께의 비율을 조절하여 만들어 내는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 유사안정 양자우물층은 단일층 구조 또는 다층 구조로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 8항에 있어서, 상기 유사안정 양자우물층이 다층 구조인 경우 유사안정 양자우물층들 사이에 간격층이 존재하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 9항에 있어서, 상기 간격층의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 외부 에너지는 국소적인 기계적 응력, 열 응력, 초음파, 광자 또는 전계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 11항에 있어서, 상기 전계는 주사 탐침 현미경의 탐침을 이용하여 인가되는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 외부 에너지로서 미세 전극을 균일하게 배열하거나 주기적인 미세 패턴의 광원을 조사하여 주기적인 배열을 갖는 양자점을 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 13항에 있어서, 상기 미세 패턴 광원의 조사는 레이저 홀로리소그래피 또는 전자빔 리소그래피 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 13항에 있어서, 상기 미세 전극의 하부 층에 형성된 양자점을 단일 전자소자로 사용하고 상기 미세 전극은 접합용 패드로 사용하여 전자소자들을 전기적으로 연결함으로써 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 외부 에너지의 인가에 의해 상기 유사안정 양자우물층에서 발생하는 양자점의 상전이가 안정적으로 이루어질 수 있도록 상기 유사안정 양자우물층 위에 덮개층이 있는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 16항에 있어서, 상기 덮개층의 두께는 5μm 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 양자점은 구형 또는 럭비공 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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제 1항에 있어서, 상기 양자점은 구형 또는 럭비공 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법
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