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ＮｂＳｉ２계 나노 복합 피복층 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121076
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모재로서 니오비움 또는 그 합금의 표면상에 형성된 NbSi2계 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재 표면에 탄소 또는 질소를 기상 증착하여 니오비움 탄화물 또는 니오비움 질화물 확산층을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 나노 복합 피복층은 등축정의 NbSi2 결정입계에 SiC 또는 Si3N4 입자들이 분포된 미세조직을 가지며, 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 또는 Si3N4 입자들의 부피 분율에 의해서 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 NbSi2계 나노 복합 피복층이 형성된다. 이에 따라, 열팽창계수차에 의한 크랙의 발생을 근원적으로 억제하여 고온 반복 내산화성을 향상시키며, 또한, 피복층 표면에 치밀한 SiO2 산화피막이 형성되어 고온 등온 내산화성의 향상과 더불어, 피복층의 기계적 성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제를 기할 수 있다. 니오비움, 피복층, 열팽창계수
Int. CL C22C 27/02 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040061786 (2004.08.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0581006-0000 (2006.05.10)
공개번호/일자 10-2006-0013019 (2006.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.05)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤진국 대한민국 서울특별시 노원구
2 김긍호 대한민국 서울특별시 성북구
3 홍경태 대한민국 서울특별시 노원구
4 도정만 대한민국 서울특별시 노원구
5 이종권 대한민국 서울특별시 성북구
6 이경환 대한민국 서울특별시 은평구
7 손근형 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2004-0351301-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2005-0072106-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0589965-47
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0027152-18
6 의견서
Written Opinion		 2006.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0027151-62
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0239277-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모재로서 니오비움 또는 그 합금 표면상에 형성된 등축정의 NbSi2 결정입계에 SiC 입자들이 17
2 2
모재로서 니오비움 또는 그 합금 표면상에 형성된 등축정의 NbSi2 결정입계에 Si3N4 입자들이 16
3 3
(가) 모재로서 니오비움 또는 그 합금 표면에 탄소를 기상증착하여 상기 모재 표면에 NbC와 Nb2C를 포함하는 니오비움 탄화물 확산층을 형성하는 단계; 및(나) 상기 니오비움 탄화물 확산층의 표면에 실리콘을 기상증착하여 탄소와 실리콘 간의 고상 치환 반응에 의해 상기 니오비움 탄화물 확산층을 등축정의 NbSi2 결정입계에 SiC 입자들이 분포된 NbSi2-SiC 나노 복합피복층으로 변화시키는 단계;를 포함하여 구성되는NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 단계 (가)에서 탄소의 증착에 일산화탄소 (CO), 메탄 (CH4), 에탄 (C2H4), 또는 메틸렌 아이오다이드 (CH2I2)를 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 단계 (나)에서 실리콘의 증착에 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 단계 (나)의 실리콘의 증착에 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
7 7
(가) 모재로서 니오비움 또는 그 합금 표면에 질소를 기상증착하여 상기 모재 표면에 NbN와 Nb2N을 포함하는 니오비움 질화물 확산층을 형성하는 단계
8 8
제7항에 있어서, 상기 단계 (가)의 질소의 증착에 암모니아 혹은 질소를 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 단계 (나)의 실리콘의 증착에 SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl 또는 SiH4를 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 단계 (나)의 실리콘의 증착에 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
11 10
제7항에 있어서, 상기 단계 (나)의 실리콘의 증착에 (1-70)wt% Si/(1-10)wt% NaF/(20-98)wt% Al2O3의 조성을 가진 팩 실리코나이징 처리용 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 NbSi2계 나노복합피복층의 제조방법
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2 JP18045661 JP 일본 FAMILY
3 US20060029830 US 미국 FAMILY

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1 JP2006045661 JP 일본 DOCDBFAMILY
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3 US2006029830 US 미국 DOCDBFAMILY
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