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유전체 박막 및 이를 이용한 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015121245
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 유전상수 값을 유지하고 낮은 누설전류 특성 및 높은 절연파괴강도를 갖는 유전체 박막 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유전체 박막은 바륨 스트론튬 타이타네이트((Ba1-xSrx)TiO3, x=0.1∼0.9, 이하 BST라 칭함) 내에 억셉터(acceptor)로써 마그네슘(Fe), 니켈(Ni), 망간(Mn), 철(Fe)이 도핑된 것을 의미하며, BST 내에 억셉터가 도핑됨에 따라 누설전류 특성 및 절연파괴특성을 향상시킬 수 있게 되며, 광학적 투명성을 담보할 수 있음을 특징으로 한다.
Int. CL C04B 35/468 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060089555 (2006.09.15)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0799498-0000 (2008.01.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울 영등포구
2 홍재민 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0667444-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0030071-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0358317-00
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0618656-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0667961-06
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0667962-41
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0025111-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
탄산 바륨(BaCO3) 분말, 탄산 스트론튬(SrCO3) 분말, 티타늄 산화물(TiO2) 분말을 바륨 스트론튬 타이타네이트((Ba1-xSrx)TiO3, x=0
2 2
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3 3
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4 4
기판, 게이트 절연막 및 반도체 층을 구비하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 절연막은 제 1 항의 유전체 박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 상기 기판 상에 적층되며, 상기 기판은 고분자 기판, 유리 기판, 실리콘 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 고분자 기판은 PET(poly-ethylene-terephehalat) 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 두께는 50∼500nm 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 두께는 200nm 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
삭제
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
제 4 항에 있어서, 상기 반도체 층은 유기물 반도체 또는 금속 산화물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 유기물 반도체는 펜타신(pentacene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 금속 산화물 반도체는 산화아연(ZnO)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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