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구형 산화물 입자 배열시 결함 발생을 감소시키는 방법

  • 기술번호 : KST2015121519
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구형 산화물 입자를 상온보다 높은 온도에서 가열처리하는 것을 포함하는 구형 산화물 입자의 처리 방법에 관한 것으로, 졸겔법으로 합성한 구형 산화물 입자, 구체적으로는 실리카 입자를 가열처리하여 규칙적인 배열시의 결함발생을 감소시킴으로써, 실리카 입자의 체적 안정성을 높이는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따라 제작된 구조적 결함이 적은 실리카 층은 물리적 안정성이 높고, 넓은 영역에 걸쳐 결정성이 유지되므로, 광반사층, 광도파로 등 광학특성이 우수한 광결정을 필요로 하는 영역에까지 응용될 수 있다.
Int. CL C01B 37/02 (2006.01) G02B 1/02 (2006.01) C09D 1/00 (2006.01) C01B 33/18 (2006.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020100040420 (2010.04.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0121020 (2011.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130019391;
심사청구여부/일자 Y (2010.04.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종구 대한민국 경기도 남양주시
2 조소혜 대한민국 서울특별시 성북구
3 최벽파 대한민국 서울특별시 관악구
4 박수영 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.30 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0280113-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052772-07
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0487691-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0532744-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0883673-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0883672-44
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0231812-62
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0404583-67
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.05.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0404584-13
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0351121-13
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0651645-26
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0651644-81
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0785391-24
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.01.22 수리 (Accepted) 7-1-2013-0002434-85
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163241-61
17 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2013.04.05 수리 (Accepted) 7-8-2013-0010365-73
18 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2014.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0067680-06
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구형 산화물 입자를 상온보다 높은 온도에서 가열처리하는 것을 포함하는 하기의 특성들 중 하나 이상을 만족하는 구형 산화물 입자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 상온보다 높은 온도가 상온 초과 내지 900℃의 온도인 방법
3 3
제1항에 있어서 가열처리를 구형 산화물 입자의 중량 감소가 실질적으로 발생하지 않을 때까지 지속하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 구형 산화물 입자가 단분산 분포를 갖는 것인 방법
5 5
제1항에 따른 방법에 의해 제조된 구형 산화물 입자
6 6
제5항에 있어서, 구형 실리카 입자인 구형 산화물 입자
7 7
제5항에 따른 구형 산화물 입자가 규칙적으로 배열된 광결정
8 8
제5항에 따른 구형 산화물 입자가 규칙적으로 배열된 코팅제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102947223 CN 중국 FAMILY
2 JP25528558 JP 일본 FAMILY
3 KR1020130036269 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2011136452 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102947223 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2013528558 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 WO2011136452 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.