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소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121593
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 촉매층의 표면에 초소수성을 부여하기 위하여 촉매층의 표면 촉매담지체에 종횡비가 높은 나노패턴을 형성하여 표면적을 극대화하고, 그 표면 위에 소수성 박막을 코팅하여 소수성을 증가시킨 고분자 전해질 막-전극 접합체 및 그 제조방법에 관한 것이다.이에 본 발명은, MEA를 구성하고 있는 촉매층의 표면 촉매담지체에 플라즈마 식각에 의한 고종횡비의 나노패턴을 형성하는 단계; 상기 촉매담지체에 형성된 나노패턴 위에 소수성 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01M 4/88 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120070376 (2012.06.28)
출원인 현대자동차주식회사, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1438890-0000 (2014.09.01)
공개번호/일자 10-2014-0002287 (2014.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍보기 대한민국 서울특별시 송파구
2 김세훈 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 문명운 대한민국 서울특별시 성북구
4 이광렬 대한민국 서울특별시 서초구
5 오규환 대한민국 서울특별시 관악구
6 허은규 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 서울특별시 서초구
2 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0519457-86
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0718869-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-0000509-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2013-0020373-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0789562-63
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0039825-28
8 보정요구서
Request for Amendment		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0014655-26
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0095347-18
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0135355-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0237779-15
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0237782-42
14 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0522005-50
15 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2016-5009725-79
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5148973-60
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
막-전극 접합체(MEA: Membrane Electrode Assembly)를 구성하고 있는 촉매층의 촉매담지체에 플라즈마 식각에 의한 1 내지 20 nm의 폭과 1 내지 1000 nm의 길이를 갖는 미세 돌기들로 이루어진 나노패턴을 형성하는 단계; 상기 촉매담지체에 형성된 나노패턴 위에 소수성 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 나노패턴을 형성하는 단계에서는, 플라즈마 식각을 위한 플라즈마의 조사 시간, 가속 전압 및 식각 압력 중 어느 하나 이상을 조절하여 나노패턴의 크기 및 형상을 제어하는 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 식각을 위한 플라즈마의 가속 전압은 -100 Vb ~ -1000 Vb 이고, 플라즈마의 식각 압력은 1 Pa ~ 10 Pa인 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 식각으로는 이온빔 방식, 하이브리드 플라즈마 화학 증착 방식, 및 대기압 플라즈마 방식 중 어느 하나를 선택하여 이용하거나 또는 둘 이상을 혼합하여 이용하는 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 식각은 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD: Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 플라즈마 지원 화학기상증착(PACVD: Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition) 방식의 플라즈마 식각인 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 소수성 박막은 규소와 산소를 포함하는 탄화수소계 박막인 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
7 7
청구항 1 또는 6에 있어서,상기 소수성 박막의 두께는 1 ~ 100 nm인 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체의 제조방법
8 8
삭제
9 9
촉매층의 촉매담지체에 1 내지 20 nm의 폭과 1 내지 1000 nm의 길이를 갖는 미세 돌기들로 이루어진 나노패턴이 형성되고, 상기 나노패턴 위에 소수성 박막이 형성됨으로써 초소수성 표면을 가지도록 된 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체
10 10
삭제
11 11
청구항 9에 있어서,상기 소수성 박막은 규소와 산소를 포함하는 탄화수소계 박막인 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체
12 12
청구항 9 또는 11에 있어서,상기 소수성 박막의 두께는 1 ~ 100 nm인 것을 특징으로 하는 소수성을 향상한 고분자 전해질 막-전극 접합체
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103515623 CN 중국 FAMILY
2 JP06122617 JP 일본 FAMILY
3 JP26011154 JP 일본 FAMILY
4 US08703354 US 미국 FAMILY
5 US20140004443 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103515623 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103515623 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE102012220953 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 JP2014011154 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP6122617 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2014004443 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8703354 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.