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무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 박막 소자

  • 기술번호 : KST2015121776
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유리, 고분자 등 부도체 기판 위에 금속 도전층을 형성하기 위한 무전해도금 (ELD: Electroless deposition)에 관한 발명이다. 본 발명은 아크플라즈마증착(APD: Arc plasma deposition)이나 스퍼터링증착법(sputtering) 등 건식증착법을 사용하여 기판 상에 접착층과 촉매층을 형성하고, 그 위에 무전해도금을 실시하여 금속 박막을 형성할 수 있다. 본 발명에 의하면 무전해도금 공정에서 행하여지던 기존 복잡한 전처리 공정을 획기적으로 줄이고 도금된 금속 박막의 접착력을 증가시킬 수 있다.
Int. CL C23C 18/16 (2006.01) C23C 18/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120081953 (2012.07.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1371088-0000 (2014.02.28)
공개번호/일자 10-2014-0015890 (2014.02.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.26)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변지영 대한민국 서울 용산구
2 김상훈 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 황주연 대한민국 경기 구리시
4 하헌필 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0600052-88
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0858232-27
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2013-0068261-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0850329-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0118924-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0118922-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
9 등록결정서
Decision to grant
2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0141220-89
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번호 청구항
1 1
기판을 마련하는 기판 마련 단계;아크플라즈마 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계; 및 무전해도금에 의하여 상기 촉매층 상에 금속 박막을 형성하는 박막 형성 단계;를 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 전기적 부도체인, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 유연하거나 신축성이 있는 고분자를 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 에폭시, 페놀수지, 폴리이미드, 폴리에스터, glass epoxy, silicone rubber, Polydimethylsiloxane (PDMS) 및 polyvinylidene difluoride (PVDF) 로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상을 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 촉매층은 Pd, Pt, Ag및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 촉매층은 마스크를 이용하여 특정 패턴으로 형성되고, 상기 특정 패턴을 따라 무전해도금이 수행되어 금속 박막이 형성되는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 기판 마련 단계와 상기 촉매층 형성 단계 사이에, 상기 기판 상에 접착층을 형성하는 접착층 형성 단계를 더 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 접착층 형성 단계는 건식 증착법에 의하여 수행되는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 접착층 형성 단계의 건식 증착법은 상기 촉매층 형성 단계의 증착법과 동일한, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 접착층 및 상기 촉매층은 마스크를 이용하여 특정 패턴으로 형성되고, 상기 특정 패턴을 따라 무전해도금이 수행되는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서,상기 접착층은 Ti, Mo, Ni, Cr, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
14 14
제9항에 있어서,상기 접착층은 NiCr 합금, 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 무전해도금은 포름알데히드(HCHO), 글리세린을 기반으로 제조된 glyoxylic acid, sodium hypophosphite (NaPO2H2·H2O), borohydride 용액 및 Dimethylamine-borane (DMAB)로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 환원제를 사용하여 수행되는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서,상기 금속 박막은 Cu, Ni, Au, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 무전해도금을 이용한 금속 박막의 제조 방법
17 17
제1항에 따라 제조된 금속 박막을 포함하는 박막 소자
지정국 정보가 없습니다
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1 US20140030532 US 미국 FAMILY

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1 US2014030532 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.