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텅스텐 씨엠피용 슬러리

  • 기술번호 : KST2015121854
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판상의 배선 재료로 쓰이는 텅스텐 금속을 기계 화학적인 방법으로 제거하기 위한 씨엠피 공정에 사용되는 나노 크기의 세라믹 분말을 연마제로 사용한 슬러리에 관한 것이다. 본 발명의 씨엠피용 슬러리는 나노 크기의 세라믹 분말이 안정하게 분산되도록 분산 안정성이 조절되어 있으며 텅스텐 금속의 전기화학적인 부식을 위해 과산화수소수를 주산화제로 하는 화학 첨가물들이 함유되어 있다. 본 발명에 따른 텅스텐 CMP용 슬러리는 나노 크기의 세라믹 입자를 연마제로 사용하고 금속의 전기화학적 부식을 위한 산화제로 과산화수소수(H2O2), 상기 산화제의 촉진제로 Fe(NO3)3, 상기 산화촉진제의 안정화제로 시트르산, 말론산 또는 옥살산을 포함하며 pH 3-5에서 안정한 슬러리이다. 텅스텐, 씨엠피용 슬러리, 연마율
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C09K 3/14 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020020004042 (2002.01.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0063763 (2003.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 서울특별시동대문구
2 김상우 대한민국 서울특별시성북구
3 이종호 대한민국 서울특별시광진구
4 김주선 대한민국 서울특별시노원구
5 임건자 대한민국 서울특별시동대문구
6 유장용 대한민국 경기도광주시
7 김태은 대한민국 서울특별시강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0022269-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0056805-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0076972-34
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0175550-89
7 의견서
Written Opinion		 2004.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0175562-26
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0384966-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

5-25 중량%의 연마제, 1-5 중량%의 산화제, 0

2 2

제1항에 있어서, 연마제가 높은 교반 속도 하에서 입경이 작은 금속산화물 볼을 이용한 고에너지 밀링 처리에 의해 수용액 내에서 분산 안정성을 갖는 나노 크기의 세라믹 입자인 슬러리

3 3

제1항 또는 2항에 있어서, 연마제가 나노 크기의 5 내지 10 중량%의 알루미나 또는 나노 크기의 5 내지 25 중량%의 실리카인 슬러리

4 4

제3항에 있어서, 연마제의 평균 입자 크기가 200 nm 이하인 슬러리

5 5

제1항 또는 2항에 있어서, 산화제가 과산화수소수(H2O2)인 슬러리

6 6

제1항 또는 2항에 있어서, 산화촉진제가 0

7 7

제1항 또는 2항에 있어서, 산화촉진제의 안정화제가 1 내지 10 중량%의 시트르산, 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.