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산화막이 형성된 요소를 포함하는 기판을 스퍼터링 장치의 기판 홀더에 장착하되, 상기 산화막이 노출되도록 장착하는 단계;상기 기판 홀더에 플라즈마 발생용 전압을 인가하여 상기 산화막을 제거하는 단계; 및상기 산화막을 제거하는 동안에 상기 기판에 자기장을 인가하는 단계;를 포함하고, 상기 산화막은 자연 산화막인 산화막 제거 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 자기 터널 접합(MTJ) 소자의 일부 구성, 스핀 소자의 일부 구성 또는 나노선 소자의 일부 구성을 포함하는 산화막 제거 방법
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제 1 항에 있어서,상기 자연 산화막은 자기 터널 접합 소자의 하부 자성층 표면에 형성된 것, 스핀 소자의 스핀 주입 전극 표면에 형성된 것 또는 나노선 소자의 나노선 표면에 형성된 것인 산화막 제거방법
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챔버, 진공펌프, 고주파 전력원을 포함하고, 상기 챔버는 기판이 홀딩되는 기판 홀더와 타겟을 포함하는 스퍼터링 장치에 있어서,상기 스퍼터링 장치는 청구항 1의 산화막 제거방법에 사용된 스퍼터링 장치이고,상기 기판 홀더에 제어수단이 결합되어 있고, 상기 제어수단에 의해 상기 기판의 식각면의 표면 거칠기가 제어되는 스퍼터링 장치
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제 8 항에 있어서,상기 제어수단은 상기 기판에 평행한 또는 수직한 방향의 자기장을 발생시키는 자기장 발생수단인 스퍼터링 장치
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제 8 항에 있어서,상기 제어수단은 상기 기판 홀더의 상기 기판이 홀딩되는 면 또는 상기 기판이 홀딩되는 면의 이면에 배치된 스퍼터링 장치
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기판 상에 제1 및 제2 전극선과 제1 및 제2 강자성 전극 라인을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 강자성 전극 라인에 형성된 산화막을 제거하는 단계; 및상기 산화막을 제거한 후, 상기 제1 및 제2 강자성 전극 라인의 일단과 상기 제1 및 제2 전극의 일단을 덮는 스핀 채널층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화막은 청구항 1의 방법으로 제거하는 스핀 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극선과 제1 및 제2 강자성 전극 라인을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 상기 제1 및 제2 전극선을 포함하는 군과 상기 제1 및 제2 강자성 전극 라인을 포함하는 군 중 어느 한 군을 먼저 형성하는 단계;상기 먼저 형성된 군을 덮는 마스크를 형성하고, 상기 기판 상에 나머지 군을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 스핀 소자의 제조방법
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기판 상에 나노선을 형성하는 단계;상기 나노선 표면에 형성된 자연 산화막을 제거하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 산화막이 제거된 나노선의 일부를 덮는 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 자연 산화막은 청구항 1의 산화막 제거방법으로 제거하는 나노선 소자의 제조방법
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순차적으로 적층된 하부 자성층, 터널 접합층 및 상부 자성층을 포함하는 터널 접합 소자의 제조방법에 있어서,상기 하부 자성층의 표면으로부터 자연 산화막을 제거하는 단계; 및상기 자연 산화막이 제거된 상기 하부 자성층 상에 상기 터널 접합층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 자연 산화막은 청구항 1의 산화막 제거 방법으로 제거하는 터널 접합 소자의 제조방법
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