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낮은 밴드갭을 갖는 고분자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기태양전지

  • 기술번호 : KST2015122018
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 (P1) 또는 (P2)의 반복 단위를 포함하는 낮은 밴드갭을 갖는 고분자와 이에 제조 방법 및 이를 이용한 고효율 유기태양전지에 관한 것이다. (P1) (P2)
Int. CL C08G 61/12 (2014.01) C08G 73/06 (2014.01) C08G 75/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01)
출원번호/일자 1020110042964 (2011.05.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1265511-0000 (2013.05.13)
공개번호/일자 10-2012-0124986 (2012.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경곤 대한민국 서울특별시 성북구
2 김봉수 대한민국 서울특별시 성북구
3 김홍곤 대한민국 서울특별시 강남구
4 고민재 대한민국 서울특별시 성북구
5 이도권 대한민국 서울특별시 성북구
6 손선경 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0337232-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0002460-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0659676-64
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1095154-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-1095149-28
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0310191-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 (P1)의 반복 단위를 포함하는 고분자: (P1)상기 식에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기이고, n은 1 ~ 100,000의 정수이며, 분자량은 500 ~ 10,000,000 이다
2 2
제1항에 있어서, 하기 화학식 (P1-1)의 반복 단위를 포함하는 고분자: (P1-1)
3 3
하기 반응식 (1)에 따라 하기 화학식 (P1-1)의 반복 단위를 포함하는 고분자를 제조하는 방법: 003c#반응식 1003e#
4 4
삭제
5 5
하기 화학식 (P1)의 반복 단위를 포함하는 고분자를 포함하는 유기태양전지: (P1)상기 식에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C20의 직쇄 또는 분쇄의 포화 또는 불포화 알킬기이고, n은 1 ~ 100,000의 정수이며, 분자량은 500 ~ 10,000,000 이다
6 6
제5항에 있어서, 상기 고분자는 광변환활성층에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
7 7
제6항에 있어서, 상기 광변환활성층에 플러렌 유도체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.