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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 알루미나 완충층; 및상기 알루미나 완충층 상에 형성된 압전 후막층을 포함하되,상기 알루미나 완충층은 상기 실리콘 기판 상에 증착된 후, 열처리된 것을 특징으로 하는 압전 후막
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 800℃ ~ 1000℃의 온도에서 3분 내지 1시간 동안 수행되는 것을특징으로 하는 압전 후막
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알루미나 완충층은 0
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실리콘 기판 상에 알루미나 완충층을 형성하는 제1단계; 및상기 알루미나 완충층 상에 압전 페이스트를 스크린 프린팅한 후, 소결하여 압전 후막층을 형성하는 제2단계를 포함하되,상기 제1단계는, 상기 실리콘 기판 상에 알루미나 완충층을 증착하는 증착 공정; 및상기 증착된 알루미나 완충층을 열처리하는 열처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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삭제
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제4항에 있어서, 상기 알루미나 완충층과 압전 후막층의 사이에 Ag, Pt, Au, Al, Cu 및 RuO으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 하부 전극을 형성하는 단계; 및 상기 압전 후막층의 상부에 Ag, Pt, Au, Al, Cu, 및 RuO으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 상부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 열처리 공정은 800℃ ~ 1000℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 소결은 800℃ ~ 1200℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리 공정은 800℃ ~ 1000℃의 온도에서 3분 내지 1시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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