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제 1 금속을 포함하는 제 1 금속층;상기 제 1 금속층에 평행하게 배열되고, 제 2 금속을 포함하는 제 2 금속층; 및상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층의 사이에 위치하고, 상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속과 부식 반응성이 상이한 제 3 금속으로 이루어진 전도성 가교층을 포함하는 나노구조체를 포함하되,상기 나노구조체는 공진 파장을 갖는 입사광에 의하여 국소 표면 플라즈몬을 여기시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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2
제 1 항에 있어서,상기 전도성 가교층은 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층에 비하여 직경이 작은 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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3
제 1 항에 있어서,상기 제 3 금속은 Cu, Ag, Au, Sn, Al, Pt 및 Ti 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 하나 이상의 금속을 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속 또는 제 2 금속은 Au, Ag 및 Cu 로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 동일하거나 상이한 금속인 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층 또는 상기 제 2 금속층은 판상형 구조인 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 2차원 금속 박막인 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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7
제 1 항에 있어서,상기 전도성 가교층의 길이 또는 직경을 조절하여 공진 센서의 공진 특성을 제어하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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8
제 1 항에 있어서
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 2 금속층 및 상기 프리즘 사이에 유전체 버퍼층 또는 계면 접착층을 더 포함하고,상기 계면 접착층은 투명전도 산화물질 또는 Ti, W, Cr, TiN, Ta2O5, 및 ZnS-SiO2 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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10
제 8 항에 있어서,상기 제 1 금속층, 전도성 가교층 및 제 2 금속층을 둘러싸고, 외부 환경의 변화에 대응하여 굴절율이 가변되는 외부 환경 감지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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11
제 10 항에 있어서,상기 외부 환경 감지층은 광을 투과시키는 투명한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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12
제 8 항에 있어서,상기 제 2 금속층 및 프리즘 사이에 평판형 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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13
제 12 항에 있어서,상기 평판형 기판은 광을 투과시키는 투명한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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14
제 12 항에 있어서,상기 평판형 기판 및 상기 프리즘 사이에 위치하며, 상기 평판형 기판과 상기 프리즘을 광학적으로 결합시키는 인덱스 매칭 오일층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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15
제 12 항에 있어서,상기 제 2 금속층 및 상기 평판형 기판 사이에 유전체 버퍼층 또는 계면 접착층을 더 포함하고,상기 계면 접착층은 투명전도 산화물질 또는 Ti, W, Cr, TiN, Ta2O5, 및 ZnS-SiO2 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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16
제 8 항에 있어서,상기 제 2 금속층 및 상기 프리즘 사이에 위치하며, 표면 플라즈몬 폴라리톤을 여기하는 표면 플라즈몬 여기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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17
제 16 항에 있어서,상기 표면 플라즈몬 여기층은 Au, Ag 및 Cu 로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 하나 이상의 금속을 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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18
제 16 항에 있어서,상기 표면 플라즈몬 여기층은 유전체 상부층, 상기 유전체 상부층에 연결되는 금속층, 상기 금속층에 연결되는 유전체 하부층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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19
제 16 항에 있어서,상기 표면 플라즈몬 여기층은 금속 상부층, 상기 금속 상부층에 연결되는 유전체 도파로층, 상기 유전체 도파로층에 연결되는 금속 하부층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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20
제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속층 하단에 연결되는 광 도파로층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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21
제 20 항에 있어서,상기 제 2 금속층 및 상기 광도파로층 사이에 유전체 버퍼층 또는 계면 접착층을 더 포함하고,상기 계면 접착층은 투명전도 산화물질 또는 Ti, W, Cr, TiN, Ta2O5, 및 ZnS-SiO2 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서
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22
제 1 항 내지 제 21 항 중 하나의 항에 따른 국소 표면 플라즈몬 공진 센서를 포함하고,입사광을 전달하는 광 전달부; 및상기 국소 표면 플라즈몬 공진 센서의 특성에 따라 상기 광 전달부의 입사광에 대한 광 흡수 신호 및 광 산란 신호를 측정하는 광 검출부;를 포함하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서 시스템
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