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페이스트 또는 잉크를 이용한 구리아연주석황화계 또는 구리아연주석셀렌계 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122157
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지에서 빛 흡수층으로 응용될 수 있는 구리아연주석황화계(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌계(CZTSe)계 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 불순물이 최소화된 고품질의 CZTS 또는 CZTSe 광흡수층 박막을 구현할 수 있는 Cu, Zn, Sn 분자 전구체로 이루어진 페이스트 또는 잉크를 이용한 박막 태양전지용 CZTS 또는 CZTSe계 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020120005705 (2012.01.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1333816-0000 (2013.11.21)
공개번호/일자 10-2013-0084824 (2013.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (20131129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병권 대한민국 서울 성북구
2 이현주 대한민국 경기 광명시 모세로 **,
3 조진우 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0047277-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0028648-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0357951-55
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0664113-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0763047-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0763058-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0797183-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) Cu의 전구체, Zn의 전구체 및 Sn의 전구체들을 서로 혼합하는 단계;(2) 상기 혼합 전구체를 용매에 용해시키고, 고분자 바인더를 첨가하여 페이스트 또는 잉크를 수득하는 단계;(3) 상기 수득된 전구체 페이스트를 전도성 기판에 코팅한 후 이를 공기 또는 산소 기체 분위기에서 열처리하여 잔존 유기물을 제거하고 Cu, Zn, 및 Sn 혼합 산화물 박막을 수득하는 단계; 및(4) 상기 Cu, Zn, 및 Sn 혼합 산화물 박막을 황 또는 셀레늄 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 Cu의 전구체, Zn의 전구체 및 Sn의 전구체는 이것의 수산화물, 질산염, 황산염, 아세트산염, 염화물 중에서 1종 이상 선택되며,잔존 탄소량이 5 at% 이하인 태양전지용 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 Cu의 전구체: Zn의 전구체: Sn 전구체의 몰비가 2 : 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서 사용되는 용매는 물, 알코올, 아세톤 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 고분자 바인더는 에틸 셀룰로스, 팔미트산, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌카보네이트 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 (2)에서 분산제를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 분산제는 α-터피에놀, 에틸렌글리콜, 티오아세트아미드, 에틸렌다이아민, 모노에틸렌아민 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 (1) 또는 단계 (2)에서 Na, K, Ni, P, As, Sb, Bi 성분 또는 이들의 혼합물 중에서 선택된 도펀트(dopant)로 첨가하는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 상기 페이스트의 코팅은 닥터 블레이드 코팅, 스핀 코팅, 스크린 코팅법 또는 스프레이 코팅법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 단계 (3)에서, 상기 공기 또는 산소 기체 분위기에서의 열처리는 200 내지 700℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서, 황 분위기는 H2S, S 증기 또는 이들과 불활성 기체의 혼합 기체에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서, 셀레늄 분위기는 H2Se, Se 증기, 또는 이들과 불활성 기체의 혼합 기체에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 단계 (4)에서, 황화 또는 셀렌화시의 열처리는 400 내지 600℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막의 제조 방법
14 14
(1) Cu의 전구체, Zn의 전구체 및 Sn의 전구체들을 서로 혼합하는 단계;(2) 상기 혼합 전구체를 용매에 용해시키고, 고분자 바인더를 첨가하여 페이스트 또는 잉크를 수득하는 단계;(3) 상기 수득된 전구체 페이스트를 전도성 기판에 코팅한 후 이를 공기 또는 산소 기체 분위기에서 열처리하여 잔존 유기물을 제거하고 Cu, Zn, 및 Sn 혼합 산화물 박막을 수득하는 단계; (4) 상기 Cu, Zn, 및 Sn 혼합 산화물 박막을 황 분위기에서 열처리하여 구리아연주석황화(CZTS)계 박막을 제조하는 단계; 및(5) 상기 구리아연주석황화(CZTS)계 박막을 셀레늄 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하고,상기 Cu의 전구체, Zn의 전구체 및 Sn의 전구체는 이것의 수산화물, 질산염, 황산염, 아세트산염, 염화물 중에서 1종 이상 선택되며,잔존 탄소량이 5 at% 이하인 태양전지용 구리아연주석황화셀렌(CZTSSe)계 박막을 제조하는 방법
15 15
제1항에 따른 박막의 제조 방법에 의해 제조되며, 잔존 탄소량이 5 at% 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지용 구리아연주석황화(CZTS)계 또는 구리아연주석셀렌(CZTSe)계 박막
16 16
제14항에 따른 박막의 제조 방법에 의해 제조되며, 잔존 탄소량이 5 at% 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지용 구리아연주석황화셀렌(CZTSSe)계 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.