| 1 |
1
지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 유전체 박막; 및 상기 유전체 박막 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 상부전극은 유전체 박막 상에 이격 간격을 두고 형성된 2개의 전극을 포함하되,상기 유전체 박막은 Ba0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 이격 간격은 2㎛ ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 하부전극은 50 nm ~ 3 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 유전체 박막은 50 nm ~ 3 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서
|
| 5 |
5
지지기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; RF-스퍼터링 방식으로, 상기 하부전극 상에 유전체 박막을 형성하는 단계; 상기 유전체 박막 상에 상부전극을 형성하는 단계; 및 상기 상부전극을 패터닝하여, 유전체 박막 상에 이격 간격을 두고 형성된 2개의 전극이 형성되도록 하는 단계를 포함하되,상기 유전체 박막은 Ba0
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 상부전극을 패터닝한 다음, 지지기판의 이면을 연마하여 지지기판의 두께를 감소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서의 제조방법
|
| 7 |
7
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 유전체 박막은 50 nm ~ 3 ㎛의 두께를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서의 제조방법
|
| 8 |
8
적어도 2개 이상의 적층 기재; 상기 적층 기재에 내장되고, 상기 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 박막 콘덴서들; 상기 적층 기재의 내부에 형성되고, 상기 박막 콘덴서들을 직렬 또는 병렬로 연결하는 내부 접속전극; 상기 적층 기재들 중에서 최외측에 위치한 적층 기재의 표면에 형성되고, 상기 내부 접속전극과 연결된 표면 전극; 및 상기 표면 전극과 범프를 통해 연결된 집적회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장 기판
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 내부 접속전극은 적층 기재의 내부에 수직 방향으로 형성된 수직 접속전극과, 적층 기재의 내부에 수평 방향으로 형성된 수평 접속전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장 기판
|
