| 1 |
1
입사된 광을 브래그 회절시키는 단색기; 상기 단색기에 의해 회절된 광이 입사되며, 입사된 광을 브래그 회절시키는 분석기; 상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 제어부; 및상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하며, 검출된 광을 이용하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 단색기 또는 상기 분석기의 회전 각도가 제1 각도일 때 상기 단색기 및 상기 분석기가 서로 정렬되어 대칭적으로 배치되며, 상기 제어부는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 제2 각도로부터 제3 각도까지 상기 제1 방향으로 회전시키고, 상기 제3 각도로부터 상기 제2 각도까지 상기 제2 방향으로 회전시키되, 상기 제1 각도는 상기 제2 각도 및 상기 제3 각도 사이에 위치하는 백래쉬 측정 장치
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 검출기는, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제1 로킹 곡선을 측정하며, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제2 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제2 로킹 곡선을 측정하고, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 검출기는 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하며,상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 5 |
5
제 3항에 있어서,상기 검출기는 상기 분석기를 투과한 광을 검출하며,상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 제어부는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 상기 제1 방향, 상기 제2 방향 및 상기 제1 방향으로 순차적으로 회전시키며, 상기 검출기는, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 두 차례 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 각각 제1 로킹 곡선 및 제2 로킹 곡선을 측정하고, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 검출기는 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하며,상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 8 |
8
제 6항에 있어서,상기 검출기는 상기 분석기를 투과한 광을 검출하며,상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 단색기 및 상기 분석기 각각은, 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드, 석영, 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3), 또는 베를리늄(Be)을 포함하는 단결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 광은 중성자광 또는 X-레이인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치
|
| 11 |
11
단색기에 의하여 광을 브래그 회절시키는 단계; 상기 단색기에 의하여 회절된 광을, 분석기에 입사시키는 단계; 상기 분석기에 의하여 광을 브래그 회절시키는 단계; 상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 단계; 및상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서,상기 회전시키는 단계는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 제2 각도로부터 제3 각도까지 상기 제1 방향으로 회전시키는 단계; 및 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 상기 제3 각도로부터 상기 제2 각도까지 상기 제2 방향으로 회전시키는 단계를 포함하되, 상기 제2 각도 및 상기 제3 각도 사이에, 상기 단색기 및 상기 분석기가 서로 정렬되어 대칭적으로 배치되는 제1 각도가 위치하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 13 |
13
제 11항에 있어서,상기 백래쉬를 측정하는 단계는, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계;상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제2 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계; 및상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서,상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하는 단계를 포함하며, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 15 |
15
제 13항에 있어서,상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기를 투과한 광을 검출하는 단계를 포함하며, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 16 |
16
제 11항에 있어서,상기 회전시키는 단계는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 상기 제1 방향, 상기 제2 방향 및 상기 제1 방향으로 순차적으로 회전시키는 단게를 포함하되,상기 백래쉬를 측정하는 단계는, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 첫 번째로 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계;상기 단색기 또는 상기 분석기가 두 번째로 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계; 및상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 17 |
17
제 16항에 있어서,상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하는 단계를 포함하며, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 18 |
18
제 16항에 있어서,상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기를 투과한 광을 검출하는 단계를 포함하며, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 19 |
19
제 11항에 있어서,상기 단색기 및 상기 분석기 각각은, 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드, 석영, 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3) 또는 베를리늄(Be)을 포함하는 단결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
| 20 |
20
제 11항에 있어서,상기 광은 중성자광 또는 X-레이인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법
|
