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구리인듐셀레늄（ＣＩＧＳ） 또는 구리아연주석황（ＣＺＴＳ）계 박막형 태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122328
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 박막형 태양전지에 관한 것으로서, 후면전극층 및 광흡수층을 포함하는 박막형 태양전지에 있어서 상기 광흡수층의 조성이 CuxInyGa1-y(SzSe1-z)2 (0.85≤x003c#1, 0003c#y003c#1, 0003c#z003c#1, x, y 및 z는 실수) 또는 Cu(2-p)Zn(2-q)Snq(SrSe(1-r))4 (1.4≤p003c#2, 0003c#q003c#2, 0003c#r003c#1, p, q 및 r은 실수)인 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 박막층간 박리현상이 일어나지 않고, 개선된 내구성 및 광전변환효율을 보이는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 박막형 태양전지를 이용할 수 있으며, 후면전극층 몰리브데넘의 이셀렌화몰리브데넘으로의 변화를 제어하는 상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 박막형 태양전지의 제조방법을 이용할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020120126525 (2012.11.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1389832-0000 (2014.04.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종구 대한민국 경기 남양주시 천마산로 **-*
2 조소혜 대한민국 서울 성북구
3 송봉근 대한민국 서울 도봉구
4 이승용 대한민국 경기 과천시 가일
5 박보인 대한민국 경기 의정부시 오목로 ***,
6 박형호 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0921384-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0859174-26
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0125885-08
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0141458-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0141444-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0263946-34
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번호 청구항
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기판, 몰리브데넘 후면전극층, 구리박막, 및 광흡수분말층을 포함하고;상기 광흡수분말층의 조성은 CuxInyGa1-y(SzSe1-z)2 (0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1, 0003c#z003c#1, x, y 및 z는 실수) 또는 Cu(2-p)Zn(2-q)Snq(SrSe(1-r))4 (0003c#p003c#2, 0003c#q003c#2, 0003c#r003c#1, p, q 및 r은 실수)이며; 닥터 블레이드법, 스크린 인쇄법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 및 페인팅법을 포함하는 비진공형 공정을 통해 도포되고;상기 몰리브데넘 후면전극층의 두께는 0
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,상기 기판은,유리질, 금속, 세라믹 및 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,상기 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계는,몰리브데넘을 기판 표면을 전자빔 코팅법(electron beam coating), 스퍼터링법(sputtering), 화학증착법(chemical vapor deposition) 또는 유기금속화학증착법(metal-organic chemical vapor deposition)으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,상기 구리박막을 형성하는 단계는,진공증발법((thermal) vacuum evaporation), 전자빔 코팅법(electron beam coating), 스퍼터링법(sputtering), 화학증착법(chemical vapor deposition; CVD), 유기금속 화학증착법(metal-organic chemical vapor deposition; MOCVD) 또는 전기화학적 도금법(electro-chemical deposition)을 통해 상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,상기 광흡수분말층을 형성하는 단계는,비진공 환경에서, CuxInyGa1-y(SzSe1-z)2 (0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1, 0003c#z003c#1, x, y 및 z는 실수) 또는 Cu(2-p)Zn(2-q)Snq(SrSe(1-r))4 (0003c#p003c#2, 0003c#q003c#2, 0003c#r003c#1, p, q 및 r은 실수)의 조성비를 갖는 화합물의 분말 또는 페이스트를, 상기 구리박막 표면 위에 닥터 블레이드법, 스크린 인쇄법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 및 페인팅법을 포함하는 비진공형 공정을 통하여 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계는,250 내지 900 ℃의 셀레늄 증기 하에서 열처리하는 단계를 포함하고,열처리하는 중에 상기 구리박막이 상기 광흡수층으로 흡수되거나 또는 확산되어 사라지는 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,CdS, ZnS(O,OH), ZnSe, InS(O,OH), In2S3, ZnInxSey, Zn1-xMgxO (0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1, x 및 y는 실수) 또는 그 혼합물을 CBD법(chemical bath deposition, 화학조 증착법), 전자빔 코팅법(electron beam coating), 스퍼터링법(sputtering) 또는 화학증착법(chemical vapor deposition; CVD)을 통해 증착시킴으로써 상기 광흡수층 상부에 버퍼층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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기판의 일면에 몰리브데넘 후면전극층을 형성하는 단계;상기 몰리브데넘 후면전극층 표면 위에 구리박막을 형성하는 단계;상기 구리박막 표면 위에 구리인듐갈륨셀레늄 또는 구리아연주석황의 광흡수분말층을 형성하여 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 제조하는 단계; 및상기 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지 제조용 중간체 박막을 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법으로서,ZnO, AZO(aluminuim-doped zinc oxide), BZO(boron-doped zinc oxide), ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine-doped tin oxide) 또는 그 혼합물을 전자빔 코팅법(electron beam coating) 또는 스퍼터링법(sputtering)을 통해 증착시킴으로써 상기 광흡수층 상부에 투명전극층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지의 제조방법
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제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 구리인듐갈륨셀레늄(CIGS) 또는 구리아연주석황(CZTS)계 태양전지
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4 JP5956397 JP 일본 DOCDBFAMILY
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6 US9112075 US 미국 DOCDBFAMILY
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