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적층세라믹캐패시터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015122664
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 내부전극층과 유전체나노시트가 교번 적층된 적층세라믹캐패시터를 구현함에 있어서 수직 방향으로 이웃하는 내부전극층들을 서로 연결되도록 함으로써 별도의 외부전극이 요구되지 않는 적층세라믹캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 적층세라믹캐패시터는 내부전극층과 유전체나노시트가 교번하여 반복 적층된 구조를 이루며, 홀수번째 적층된 내부전극층은 제 1 내부전극층, 짝수번째 적층된 내부전극층은 제 2 내부전극층이며, 제 1 내부전극층의 일부는 유전체나노시트의 제 1 방향으로 외부로 노출되고, 제 2 내부전극층의 일부는 유전체나노시트의 제 2 방향으로 외부로 노출되며, 노출된 제 1 내부전극층들 각각, 노출된 제 2 내부전극층들 각각은 수직 방향으로 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	H01G 4/30 (2006.01) H01G 4/12 (2006.01)
CPC	H01G 4/12(2013.01) H01G 4/12(2013.01) H01G 4/12(2013.01)
출원번호/일자	1020130156283 (2013.12.16)
출원인	한국과학기술연구원
등록번호/일자	10-1522666-0000 (2015.05.18)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.16)
심사청구항수	6

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최지원	대한민국	서울 강남구
2	임해나	대한민국	서울 관악구
3	윤석진	대한민국	서울 도봉구
4	강종윤	대한민국	서울 서초구
5	김성근	대한민국	서울 성북구
6	권범진	대한민국	서울특별시 성북구
7	백승협	대한민국	서울 성북구
8	김진상	대한민국	서울 동작구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김영철	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2	김 순 영	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-1148282-59
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.09.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.10.14	수리 (Accepted)	9-1-2014-0078407-69
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.02.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0106182-11
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.02.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0188389-18
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2015-0188396-27
8	등록결정서 Decision to grant	2015.05.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0313357-04

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 내부전극층과 유전체나노시트가 교번하여 반복 적층된 구조를 이루며, 홀수번째 적층된 내부전극층은 제 1 내부전극층, 짝수번째 적층된 내부전극층은 제 2 내부전극층이며, 제 1 내부전극층의 일부는 유전체나노시트의 제 1 방향으로 외부로 노출되고, 제 2 내부전극층의 일부는 유전체나노시트의 제 2 방향으로 외부로 노출되며, 노출된 제 1 내부전극층들 각각, 노출된 제 2 내부전극층들 각각은 수직 방향으로 서로 전기적으로 연결되며, 상기 유전체나노시트는 아래의 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 한 유전체 조성물로 이루어지거나 Ca2(1-x)M2xNb3O10(M은 Sr, Ba, Cu, Ag, Bi 중 어느 하나이며, 몰분율 x는 0≤x≤1), Sr2(1-x)M2xNb3O10(M은 Ba, Cu, Ag, Bi 중 어느 하나이며, 몰분율 x는 0≤x≤1), Ti2NbO7 중 어느 한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층세라믹캐패시터
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방향과 제 2 방향은 서로 반대 방향인 것을 특징으로 하는 적층세라믹캐패시터
7	7 절연성 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 유전체나노시트를 적층하는 제 1 단계; 상기 유전체나노시트 상에 제 1 내부전극층을 형성하는 제 2 단계; 상기 제 1 내부전극층 상에 유전체나노시트를 적층하는 제 3 단계; 및 상기 유전체나노시트 상에 제 2 내부전극층을 형성하는 제 4 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 단계 내지 제 4 단계는 복수번 반복 진행되며, 제 1 내부전극층의 일부는 유전체나노시트의 제 1 방향으로 외부로 노출되는 형태로 형성되고, 제 2 내부전극층의 일부는 유전체나노시트의 제 2 방향으로 외부로 노출되는 형태로 형성되며, 노출된 제 1 내부전극층들 각각, 노출된 제 2 내부전극층들 각각은 수직 방향으로 서로 전기적으로 연결되며, 상기 유전체나노시트는 아래의 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 한 유전체 조성물로 이루어지거나 Ca2(1-x)M2xNb3O10(M은 Sr, Ba, Cu, Ag, Bi 중 어느 하나이며, 몰분율 x는 0≤x≤1), Sr2(1-x)M2xNb3O10(M은 Ba, Cu, Ag, Bi 중 어느 하나이며, 몰분율 x는 0≤x≤1), Ti2NbO7 중 어느 한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층세라믹캐패시터의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 유전체나노시트 상에 제 1 내부전극층을 형성하는 제 2 단계는, 상기 유전체나노시트 상에, 유전체나노시트의 일부 영역 및 상기 제 1 방향의 기판 일부를 노출시키는 제 1 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 제 1 마스크패턴에 의해 노출된 영역에 도전성 물질을 증착하여 제 1 내부전극층을 형성하는 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적층세라믹캐패시터의 제조방법
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 유전체나노시트 상에 제 2 내부전극층을 형성하는 제 4 단계는, 상기 유전체나노시트 상에, 유전체나노시트의 일부 영역 및 상기 제 2 방향의 기판 일부를 노출시키는 제 2 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 제 2 마스크패턴에 의해 노출된 영역에 도전성 물질을 증착하여 제 2 내부전극층을 형성하는 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적층세라믹캐패시터의 제조방법
10	10 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 내부전극층, 제 2 내부전극층 및 유전체나노시트는 랭뮈어-블라젯법(Langmuir-Blodgett), 물리기상증착법, 화학기상증착법, 원자층증착법, 용해증착법(solution deposition) 중 어느 한 방법을 통해 적층되는 것을 특징으로 하는 적층세라믹캐패시터의 제조방법
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 삭제
14	14 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP05965466	JP	일본	FAMILY
2	JP27119184	JP	일본	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2015119184	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	JP5965466	JP	일본	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	이화여자대학교산학협력단(참여기관:한국과학기술연구원)	부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발)	유전율 400이상을 갖는 유전체 무기 나노시트의 합성기술 및 이를 이용한 MLCC 소자용 고유전체 박막 제조기술 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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특허 등록번호	10-1522666-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20131216 출원 번호 : 1020130156283 공고 연월일 : 20150526 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150513 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01G 4/12 발명의 명칭 : 적층세라믹캐패시터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	139,500 원	2015년 05월 19일	납입
제 4 년분	금 액	86,000 원	2018년 04월 09일	납입
제 5 년분	금 액	86,000 원	2019년 05월 13일	납입
제 6 년분	금 액	86,000 원	2020년 04월 27일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-1148282-59
2	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69
3	선행기술조사의뢰서	2014.09.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2014.10.14	수리 (Accepted)	9-1-2014-0078407-69
5	의견제출통지서	2015.02.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0106182-11
6	[명세서등 보정]보정서	2015.02.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0188389-18
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2015-0188396-27
8	등록결정서	2015.05.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0313357-04


과제고유번호	1415125378
세부과제번호	10041232
연구과제명	유전율 400이상을 갖는 유전체 무기 나노시트의 합성기술 및 이를 이용한 MLCC 소자용 고유전체 박막 제조기술 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	이화여자대학교산학협력단
성과제출연도	2012
연구기간	201112~202111
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020130156283]	적층세라믹캐패시터 및 그 제조방법	새창보기
[1020120137112]	나노하이브리드, 이를 포함하는 광촉매, 및 상기 나노하이브리드의 제조방법	새창보기
[1020120116420]	하이브리드 종이 및 이의 제조방법	새창보기
[1020120114963]	층상 니오븀-함유 금속 산화물 나노콜로이드의 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 층상 니오븀 산화물 나노콜로이드 및 상기 니오븀 산화물 나노콜로이드를 이용한 고유전체 박막의 제조방법	새창보기
[1020120071840]	금속-그래핀-층상 금속 산화물 다공성 나노복합체, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 전극촉매	새창보기
[1020120063800]	메조포러스 나노하이브리드, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 광촉매	새창보기

중요키워드

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