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양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에, 격자 상수가 서로 다른 적어도 두 종류의 반도체 물질을 소정 주기로 교번적으로 적층하여 초격자 변형층을 성장시키는 단계, 및 상기와 같이 성장시킴으로써, 상기 초격자 변형층 위에 상기 소정 주기로 교번적으로 적층하여 유도된 상기 초격자 변형층의 내부 변형에 의해 수평적으로 정렬되는 양자점들을 활성층으로 형성하는 단계 를 포함하되, 상기 소정 주기는 상기 내부 변형을 고려하여 설정되는 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 적어도 두 종류의 반도체 물질은 In, Ga, Al 중의 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물로부터 선택되는 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 적어도 두 종류의 반도체 물질의 조합은 InxGa1-xAs/GaAs계, InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs계, InxGa1-xP/InP계 또는 AlyGa1-yP/InP계로부터 선택되며, 상기 x 및 y는 0 내지 1인 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양자점 활성층은 InxGa1-xAs계로 이루어지며, 상기 x는 0 내지 1인 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 소정 주기는, 상기 내부 변형으로 인해, 상기 초격자 변형층의 두께가 상기 초격자 변형층의 격자 이완이 발생되는 임계 두께 이상이 되도록 설정되는 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 소정 주기는, 상기 내부 변형으로 인해, 상기 양자점 활성층에 분포되는 양자점들이 1차원 혹은 2차원적으로 수평 정렬되도록 설정되는 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양자점 활성층 형성 단계는, 상기 양자점들의 분포가 평면적으로 1차원 혹은 2차원으로 정렬되도록, 격자 상수가 서로 다른 제1 물질 및 제2 물질을 적어도 1회 교번하여 성장시키는 단계를 포함하는 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양자점 활성층 형성 단계 이전에, 상기 초격자 변형층 위에, 추후의 공정에서 상기 반도체 소자의 상부에 장착될 디바이스를 구조적으로 보호해 주는 완충층을 적층하는 단계를 더 포함하는 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법
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양자점 구조 반도체 소자에 있어서, 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있고, 격자 상수가 서로 다른 적어도 두 종류의 반도체 물질이 소정 주기로 교번적으로 적층되어 있는 초격자 변형층, 및 상기 초격자 변형층 위에 형성되어 있으며, 상기 소정 주기로 교번적으로 적층하여 유도된 상기 초격자 변형층의 내부 변형에 의해 수평적으로 정렬되는 양자점들을 포함하는 양자점 활성층 을 포함하되, 상기 소정 주기는 상기 내부 변형을 고려하여 설정되어 있는 양자점 구조 반도체 소자
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