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기판;상기 기판 상에 형성된 전면전극층;상기 전면전극층 상에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 광변환층;상기 광변환층 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 후면전극층; 및상기 후면전극층의 두 면 중 기판과 가까운 면에 형성된 다수의 돌기 형태의 미세패턴;을 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수층과 광변환층 사이에 절연막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼층과 절연막층은 SiOx, SiNx, SiOxNy 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 특징으로 하는 태양전지
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제2항에 있어서,상기 절연막은 1 내지 100 nm 두께를 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 30 내지 1000 nm 두께를 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광변환층은 Er3+이 도핑된 NaYF3 나노입자, Yb3+, Ho3+이 도핑된 Y2BaZnO5 나노입자 및 Ln3+이 도핑된 LiYF3 나노입자로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 특징으로 하는 태양전지
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7
제1항에 있어서,상기 미세패턴을 형성하는 돌기들은 구형, 반구형, 다각기둥형 및 다각뿔형으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 형태인 것을 특징으로 하는 태양전지
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8
제1항에 있어서,상기 후면전극층은 Ag, Au, Pt, Ti, Ga, In, Cr, Ni, W, Cu, Co, Mn, Fe, Mo, Ta 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 따른 태양전지를 제조하기 위한 제조방법으로서,Ⅰ) 기판 상에 전면전극층을 형성하는 단계;Ⅱ) 상기 전면전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계;Ⅲ) 광흡수층 상에 업컨버전 나노입자를 스핀코팅하여 광변환층을 형성하는 단계;Ⅳ) 광변환층 상에 버퍼층을 적층하는 단계; 및Ⅴ) 버퍼층 상에 다수의 돌기 형태의 미세패턴을 갖는 후면전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Ⅱ) 단계와 Ⅲ) 단계 사이에 Ⅱ-ⅰ) 상기 광흡수층 상에 절연막층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Ⅴ) 다수의 돌기 형태의 미세패턴을 갖는 후면전극층을 형성하는 단계는 Ⅴ-ⅰ) 상기 버퍼층 상에 나노구형 입자를 압착 또는 증착한 후 버퍼층을 적층하여 예비 미세패턴을 형성하는 단계; Ⅴ-ⅱ) 상기 나노구형 입자를 포함하는 예비 미세패턴 상에 버퍼층을 증착하는 단계; Ⅴ-ⅲ) 상기 예비 미세패턴으로부터 상기 나노구형 입자를 분리하여 미세패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노구형 입자는 구형의 고분자 또는 세라믹 입자인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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