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실리사이드에의한래치업방지CMOS집적회로장치

  • 기술번호 : KST2015123168
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 27/08 (2006.01)
CPC H01L 27/092(2013.01) H01L 27/092(2013.01) H01L 27/092(2013.01)
출원번호/일자 1019850007715 (1985.10.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0027078-0000 (1989.01.16)
공개번호/일자 10-1987-0004520 (1987.05.11) 문서열기
공고번호/일자 1019880002129 (19881015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1985.10.18)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김충기 대한민국 서울시강남구
2 오춘식 대한민국 서울시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 김성택 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1985.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1985-0045280-15
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1985.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1985-0045279-79
3 특허출원서
Patent Application		 1985.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1985-0045278-23
4 보정통지서
Request for Amendment		 1985.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-9001175-46
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1985.10.25 수리 (Accepted) 1-1-1985-9000944-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1988.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0028062-18
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1988.07.23 수리 (Accepted) 1-1-1985-0045281-61
8 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1988.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0028063-64
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1988.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1985-0045283-52
10 의견서
Written Opinion		 1988.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1985-0045282-17
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1988.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0028064-10
12 등록사정서
Decision to grant		 1989.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0028066-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

CMOS 집적 회로 장치에 있어서, 웰 및 웨이퍼 기판에 형성되어 있는 MOSFET의 각각의 소오스 중 어느 하나의 소오스는 그 단자가 실리사이드 쇼트키 접합과 pn 다이오드 접합으로 병렬 결합되게 구성되고, 상기의 웰 및 웨이퍼 기판에 각각 형성되어 있는 MOSFET의 드레인은 기존의 확산형 다이오드로 구성되게 하여서 CMOS의 래치업 및 누설 전류가 제거됨을 특징으로 하는 실리사이드에 의한 래치업 방지 CMOS 집적 회로 장치

2 2

웰 및 웨이퍼 기판에 형성된 소오스를 웰 및 웨이퍼 기판에 형성된 오믹 접후을 위한 확산 영역에 근접 내지 접합되도록 배치하고 상기 소오스 영역과 확산 영역 위에 실리사이드를 이용하여 자체 조준된 버팅 접합을 구성한 실리사이드에 의한 래치업 방지 CMOS 집적 회로 장치

3 3

제1항에 있어서, 소오스의 pn 다이오드의 폭이 1㎛ 이하의 매우 좁은 구조로 형성되어 있는 실리사이드에 의한 래치업 방지 CMOS 집적 회로 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.