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고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015123301
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초미립 상태의 유전체 세라믹 분말을 고분자 매트릭스 내에 균일하게 분산시킴으로써, 유전체 후막을 소결 과정 없이 제조할 수 있는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 복합체를 용융시키는 단계와; 상기 용융된 고분자 물질에 유전체 세라믹 분말을 첨가하고 교반하여 균일하게 혼합하는 단계와; 상기 혼합물을 기판에 후막으로 형성하는 단계로 이루어진다.세라믹 유전체 분말, 고분자, 복합체, 초소형 적층형 세라믹 콘덴서, 유전체 세라믹스, 스핀 코팅
Int. CL H01G 4/33 (2006.01)
CPC H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01)
출원번호/일자 1020000058962 (2000.10.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0379771-0000 (2003.03.28)
공개번호/일자 10-2002-0027116 (2002.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20030411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.10.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병국 대한민국 서울특별시성북구
2 제해준 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2000-0210266-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2002-0010704-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0257973-56
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.09.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0304984-04
7 의견서
Written Opinion		 2002.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0304985-49
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0107251-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고분자 물질을 용융시키는 단계와;

상기 용융된 고분자 물질에 유전체 세라믹 분말을 첨가하고 교반하여 균일하게 혼합하는 단계와;

상기 혼합물을 기판에 후막으로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 고분자 물질은 녹는점이 약 157℃이고, 밀도가 약 0

3 3

제 2항에 있어서, 상기 폴리프로필렌의 용융 온도는 180∼220℃인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 유전체 세라믹 분말은 초미립 BaTiO3 분말인 것을 특징으로 하는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

5 5

제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 유전체 세라믹 분말의 첨가량이 10∼90 중량%인 것을 특징으로 하는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

6 6

삭제
7 7

삭제
8 8

제 1항에 있어서, 상기 혼합물을 기판에 후막으로 형성하는 방법은 스핀 코팅 방법인 것을 특징으로 하는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

9 9

삭제
10 10

제 1항에 있어서, 상기 혼합물을 기판에 후막으로 형성하는 방법은 혼합물을 기판 위에 압출하여 후막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 물질을 이용한 유전체 후막 제조 방법

11 11

삭제
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1 JP14117738 JP 일본 FAMILY
2 KR100406646 KR 대한민국 FAMILY

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1 JP2002117738 JP 일본 DOCDBFAMILY
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