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a) CIS계 화합물을 구성하는 원소들의 전구체가 용해된 전해질 용액 내에 작업전극을 침지시킨 후 상기 작업전극에 환원 전압 또는 전류를 인가하여 CIS계 박막을 전착하는 단계;b) 상기 전착된 CIS계 박막을 황(S) 함유 기체 분위기에서 제1 열처리함으로써 상기 CIS계 박막 표면에 황(S)을 흡착시키는 단계; 및c) 상기 표면에 황(S)이 흡착된 CIS계 박막을 셀레늄(Se) 함유 기체 분위기에서 제2 열처리하는 단계;를 포함하되,상기 제2 열처리된 CIS계 박막의 표층부는 셀레늄의 일부가 황으로 치환되어 하기 [화학식 1]의 조성을 가지며, 상기 제2 열처리된 CIS계 박막의 내부는 하기 [화학식 2]의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법;[화학식 1]Cu(In1-x Gax)(Se1-ySy)2상기 화학식 1에서, x와 y는 각각 0 ≤ x ≤ 1이고, 0 003c# y ≤ 1이다
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제1항에 있어서, 상기 제2 열처리된 CIS계 박막 표층부의 두께는 200 nm 이하인 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 열처리된 CIS계 박막의 내부는 구리인듐셀렌(CIS) 또는 구리인듐갈륨셀렌(CIGS)인 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 a)단계에서 전구체는 In, Ga 및 그 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 염화물, 황산염, 질산염, 아세트산염 또는 수산화물이거나, SeO2, H2SeO3 또는 SeCl4인 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 a)단계에서 전해질 용액은 Cu, In 및 Se의 전구체를 포함하며, 상기 전해질 용액 중 Cu, In 및 Se의 원자비는 0
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제1항에 있어서, 상기 b)단계에서 제1 열처리는 상온에서 T1까지 승온시켜 수행되고, 상기 T1은 150 내지 320 ℃ 사이의 어느 한 온도인 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 b)단계에서 황 함유 기체는 아르곤(Ar), 헬륨(He) 또는 질소(N2)기체에 황(S)이 0
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제9항에 있어서, 상기 황(S)은 황(S) 증기 또는 황화수소(H2S)인 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 c)단계에서 제2 열처리는 T1에서 T2까지 승온시켜 수행되고, 상기 T1은 150 내지 320 ℃ 사이의 어느 한 온도이며, 상기 T2는 400 내지 580 ℃ 사이의 어느 한 온도인 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 b)단계와 c)단계 사이에, 320 ℃ 이하의 어느 한 온도로 20 내지 40분 동안 유지하면서 아르곤(Ar), 헬륨(He) 또는 질소(N2)기체를 흘려주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 c)단계 이후에 T2의 온도를 30분 내지 2시간 동안 온도를 유지하면서 셀레늄(Se) 함유 기체를 흘려준 다음 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열처리는 5 내지 20 ℃/분의 승온속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법
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제1항, 제3항, 제5항 내지 제14항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막
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제15항에 따른 이종 적층형 CIS계 광활성층 박막을 광활성층으로 포함하는 박막 태양전지
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