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Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123680
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Se 또는 S계 광흡수층 기반 박막태양전지에 있어서 하부 투명전극층의 구조를 제어함으로써 상부 투명전극층의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 Zn의 산화물과 Mg의 산화물이 혼합된 혼합산화물에 불순물 원소가 혼입된 산화물계 박막(이하, '불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막'이라 함)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130049174 (2013.05.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1388432-0000 (2014.04.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.02)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원목 대한민국 서울 노원구
2 김진수 대한민국 서울 송파구
3 정증현 대한민국 서울 관악구
4 박종극 대한민국 서울 서초구
5 백영준 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0387115-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0021401-72
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0256508-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 Zn의 산화물과 Mg의 산화물이 혼합된 혼합산화물에 불순물 원소가 혼입된 산화물계 박막(이하, '불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막'이라 함)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 광학 밴드갭이 3
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 Mg/(Zn+Mg)의 원자조성비가 45atom% 이하인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 (Zn+Mg)/(Zn+Mg+불순물 원소)의 원자조성비가 90∼99atom% 인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막에 도핑되는 불순물 원소는 3족 원소, 4족 원소, 전이금속, 유리금속, 할로겐 원소 중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 3족 원소는 B, Al, Ga, In이고, 상기 4족 원소는 Si, Ge, Sn 이며, 상기 전이금속은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Ag, Cd이며, 상기 할로겐 원소는 F, 상기 유리금속은 Sb 인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 Mg의 조성비가 커질수록 광학 밴드갭이 증가하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 상부 투명전극층은 ZnO계 박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
9 9
광흡수층, 하부 투명전극층 및 상부 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법에 있어서, Zn의 산화물과 Mg의 산화물이 혼합된 혼합산화물에 불순물 원소가 혼입된 산화물계 박막(이하, '불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막'이라 함)을 형성하는 단계; 및 상기 하부 투명전극층 상에 결정질 구조의 산화물계 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 광학 밴드갭이 3
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 Mg/(Zn+Mg)의 원자조성비가 45atom% 이하인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막은 (Zn+Mg)/(Zn+Mg+불순물 원소)의 원자조성비가 90∼99atom% 인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막에 도핑되는 불순물 원소는 3족 원소, 4족 원소, 전이금속, 유리금속, 할로겐 원소 중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 3족 원소는 B, Al, Ga, In이고, 상기 4족 원소는 Si, Ge, Sn 이며, 상기 전이금속은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zr, Nb, Mo, Ag, Cd이며, 상기 할로겐 원소는 F, 상기 유리금속은 Sb 인 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
15 15
제 9 항에 있어서, 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막에 있어서, Mg의 조성비를 제어하여 상기 불순물 도핑된 Zn-Mg계 산화물 박막의 광학 밴드갭을 조절하며, Mg의 조성비가 커질수록 광학 밴드갭이 증가하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
16 16
제 9 항에 있어서, 상기 상부 투명전극층은 ZnO계 박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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1 US20140326319 US 미국 FAMILY

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1 교육과학기술부 한국과학기술연구원 첨단융합기술개발 차세대 비실리콘계 태양전지용 투명 전도막 신소재 및 합성기술 개발