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산소가스하에서, 출력범위가 2 kW급 마이크로파와 하나의 전자석으로 구성된 전자 사이크로트론 공명 플라즈마를 이용하여 고밀도 플라즈마 이온을 형성하고, 상기 플라즈마 이온이 형성된 하단에 금속 전구체를 공급함과, 동시에 고분자 기질 상단에 위치한 전극으로, 상기 고분자 기질표면에 0 ～ 2 kV 저주파 직류 전압을 인가하여 과응축 금속이온을 형성하며,상기 과응축 금속이온이, 고분자 기질 표면에서 화학 결합으로 증착되어 금속 복합박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 전구체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe)(삭제), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 아연(Zn) 및 인듐(In) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 금속이 함유된 유기금속화합물 또는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 산화물 금속 복합박막은 인듐산화주석(ITO), 산화주석(SnO2), 산화인듐(In2O3), 산화카드뮴(CdO) 및 산화아연(ZnO) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 금속산화물을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 기질 표면에의 금속양이온을 화학 증착함과 동시에, 상기 저주파 펄스 직류 음전압을 발생시키는 금속 전극소재로 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 인듐(In), 스트론튬(Sr), 니켈(Ni), 철(Fe), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 네오디뮴(Nd), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 티탄(Ti), 이트륨(Y), 아연(Zn) 및 카드뮴(Cd) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 유기금속화합물 또는 금속 산화물을 사용하여 도핑시키는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법은 마이크로파발생기(1)와 전자석(2)으로 구성된 플라즈마 영역;플라즈마가스(3)와 산화성가스(4)를 공급하기 위한 유입구, 운반기체(5) 및 샤우어링(14)로 구성된 반응증착영역;버블러(7), 전극(10) 및 0 kV 에서 2 kV의 직류 전압 발생기(8, 9)로 구성된 전구체 공급 시스템;고분자 기질(13)의 연속처리를 위한 롤러(11); 및반응성 가스 확산방지를 위한 분리판(12)으로 구성된 공정 시스템을 사용하여 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 복합박막은 도전성이 100 ∼ 104 Ω/cm2 이고, 광투과율이 80 ∼ 90%인 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 복합박막은 도전성이 100 ∼ 104 Ω/cm2 이고, 광투과율이 80 ∼ 90%인 것을 특징으로 하는 투명한 도전성 금속 복합박막의 제조방법
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