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상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ＺｎＯ박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치

  • 기술번호 : KST2015123893
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물인 GaN를 대체하기 위하여 상온에서 딥-레벨 발광이 전혀 없고 단지 NBE만이 관측될 수 있는 양질의 ZnO 박막을 제조하기 위한 경제적으로 저렴한 방법 및 그를 위한 장치를 제공하기 위하여, 진공 챔버내로 소정 비율의 Ar, O2 가스를 1 내지 500 mTorr 이하의 챔버내 진공도를 유지하도록 도입하고, 기판을 예열하고, 기판 위에 설치되는 원자 라디칼원으로부터 C 및 N을 도입하면서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 기판 위에 ZnO 단결정 박막을 증착한 후, 상기 ZnO 박막 증착시 사용하였던 챔버내 산소 분압을 유지하면서 상기 기판을 서냉시키는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법 및 그를 위한 장치를 제공한다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020000003690 (2000.01.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0343949-0000 (2002.06.27)
공개번호/일자 10-2001-0076504 (2001.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20020724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시양천구
2 정형진 대한민국 서울특별시동대문구
3 김경국 대한민국 경기도부천시소사구
4 윤영수 대한민국 경기도과천시
5 송종한 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2000-0014868-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2001-0017413-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0291361-87
5 의견서
Written Opinion		 2001.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2001-0322312-20
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.12.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0322315-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0217982-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공 챔버내로 소정 비율의 Ar, O2 가스를 1 내지 500 mTorr 이하의 챔버내 진공도를 유지하도록 도입하고,

상기 챔버 내에 설치되는 기판을 예열하고,

ZnO 타겟과 기판을 수평으로 배치한 상태에서 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 기판 위에 ZnO 단결정 박막을 증착하고,

상기 ZnO 박막 증착시 사용하였던 챔버내 산소 분압을 그대로 유지하면서 상기 기판을 서냉시키는 것을 특징으로 하는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 Ar/O2 비율은 4/1 미만인 것을 특징으로 하는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 Ar/O2 비율은 1/1 내지 3/1인 것을 특징으로 하는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 기판은 500 내지 650℃의 온도범위까지 예열되는 것을 특징으로 하는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 RF 마그네트론 스퍼터링법에서 타겟에 인가되는 유효 단위 면적당 에너지 밀도는 3

6 6

제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 Al2O3 단결정 기판, Si과 같이 ZnO와 격자 부정합도가 큰 단결정 기판 및 ZnO를 버퍼로 사용하는 기판 중 선택되는 어느 한 기판인 것을 특징으로 하는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서, 기판 위쪽에 설치된 원자 라디칼원으로부터 C 및 N을 도입하면서 ZnO 박막을 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광 소자용 ZnO 박막의 제조방법

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1 US2001017257 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6358378 US 미국 DOCDBFAMILY
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