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냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124131
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전 물질의 종류에 제약이 없이 다양한 열전 소재를 제조하고, 또한 경제적이며 동시에 친환경적인 방법으로 열전 소재를 제조하기 위한 것으로, 열전 물질을 녹인 후 냉각시켜 잉곳(ingot)을 제조하는 잉곳 제조 단계; 상기 제조된 잉곳을 냉간 성형하여 열전 소재를 제조하는 냉간 성형 단계; 및 상기 제조된 열전 소재를 열처리하는 열처리 단계; 를 포함하는 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 41/22 (2006.01)
CPC H01L 41/41(2013.01) H01L 41/41(2013.01)
출원번호/일자 1020130044554 (2013.04.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1455713-0000 (2014.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백승협 대한민국 서울 성북구
2 정성진 대한민국 서울 동작구
3 현도빈 대한민국 서울특별시 영등포구
4 김성근 대한민국 서울 성북구
5 김진상 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0354684-08
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0400494-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0020402-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0358518-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0696869-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0696868-68
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0707374-10
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번호 청구항
1 1
고성능 열전 소재의 제조 방법으로,열전 물질을 녹인 후 냉각시켜 잉곳(ingot)을 제조하는 잉곳 제조 단계;상기 제조된 잉곳을 분말화하지 않은 그 자체로 냉간 성형하고 400MPa 내지 2000MPa의 압력을 가하여 열전 소재를 제조하는 냉간 성형 단계; 및 상기 제조된 열전 소재를 무산소 조건 하 250℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리하는 열처리 단계; 를 포함하고,상기 냉간 성형 단계 및 열처리 단계시 상기 제조된 잉곳의 열전 물질이 회복, 재결정 및 결정립 성장 현상을 겪는 것인, 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 냉간 성형 단계는 일 회 이상 반복 실시되는 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 열전 물질은 N-형 또는 P-형 열전 물질인 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 열전 물질은 Bi-Te계, Sb-Te계, Pb-Te계, Pb-Se계, Si-Ge계, In-Co계, Bi-Te-Se계, Bi-Te-Sb계 및 In-Co-Sb계로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나 이상의 2원소계 물질인 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 무산소 조건은 진공 상태, 아르곤(Ar)의 불활성 분위기 또는 수소(H2)의 환원성 분위기인 냉간 성형을 이용한 고성능 열전 소재 제조 방법
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2 CN104120372 CN 중국 DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 한국과학기술연구원 첨단융합기술개발 분자 구조제어 고효율 열전소재 및 반도체 냉각소자 기술개발