요약 |
본 발명은 Ba(Zn1/3 Ta2/3)O3계 고주파용 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에 개발된 유전체 자기로는 유전율이 40이하이나 낮은 유전손실을 갖는 Ba(M+21/3 M+52/3)O3(M+2=Mg, Zn, M+5=Ta, Nb)계, Ba2Ti9O20계 및 (Zr, Sn)TiO4계와, 유전손실은 비교적 크지만 (Qxf010000) 유전율이 80 이상인 BaO- Sm2O3-TiO2계, (Ba, Pb)O-Nd2O3-TiO2계 및 (Pb, Ca)ZrO3계가 있으나, 일반적으로 유전율이 큰 재료는 유전체 내부의 쌍극자와 결함 등으로 인하여 유전손실과 공진주파수의 온도계수가 증가하게 되며, 특히 고주파용 세라믹 유전체는 우선적으로 공진주파수의 온도계수가 0±10ppm/℃ 정도로 안정하여야 응용이 가능하다.이에 본 발명은 Ba(Zn1/3 Ta2/3)O3 조성계에 MnO2를 1mol%, B2O3를 2wt%까지 첨가함으로써 낮은 소결온도에서 소결조제의 휘발이 없이 대량생산이 가능함과 더불어 우수한 유전특성, 품질계수, 공진주파수 온도계수를 갖도록 한 것이다.
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