맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

찰코파이라이트형 화합물계 광결정형 태양전지와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124398
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 찰코파이라이트형 화합물을 나노임프린트 리소그래피 공정을 통해 광결정 구조로 제조함으로써 태양 입사광의 ？g수를 증폭시키므로 우수한 광전환 효율을 나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체 페이스트 또는 잉크를 이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을 제조하여 금속 원료의 소모를 최소화함으로써 공정비용을 절감할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020130140803 (2013.11.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1540311-0000 (2015.07.23)
공개번호/일자 10-2015-0057433 (2015.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20150729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.19)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고두현 대한민국 서울특별시 성북구
2 민병권 대한민국 서울특별시 성북구
3 닐리쉬 바랑게 인도 서울 동대문구
4 고형덕 대한민국 서울특별시 성북구
5 한일기 대한민국 서울특별시 노원구
6 최원준 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1052693-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0600111-00
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0974939-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0974935-73
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0143351-32
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0416275-49
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0518173-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0525931-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0525889-96
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0492763-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 기판의 표면에 형성되는 광결정 구조를 갖는 찰코파이라이트형 화합물을 함유하는 광흡수층;상기 광흡수층의 표면에 형성된 n-층;상기 n-층의 표면에 형성된 전자수송층; 및상기 전자수송층의 표면에 형성된 전극층;을 포함하고,상기 광흡수층은 나노임프린트 리소그래프 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 전도성 기판은 ITO(인듐주석산화물) 또는 FTO(불소-도핑 된 인듐주석산화물) 유리, Mo 코팅된 유리, 금속 포일, 금속 판 및 전도성 고분자 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 찰코파이라이트형 화합물은 구리인듐셀렌(CIS), 구리인듐갈륨셀렌(CIGS), 구리인듐황(CIS), 구리인듐갈륨황(CIGS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 광흡수층과 n-층 사이의 층간 에너지 차이와 격자상수 차이를 완화하는 버퍼층을 상기 광흡수층의 표면에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 광흡수층에 형성된 광결정 단위형상의 직경은 0
7 7
제1항에 있어서,상기 광흡수층에 형성된 광결정 단위형상의 이격 거리는 0
8 8
제1항에 있어서,상기 광흡수층에 형성된 광결정 단위형상의 높이는 0
9 9
제1항에 있어서,상기 태양전지의 두께는 100 ~ 3000 ㎚인 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지
10 10
ⅰ) 전도성 기판 상에 광결정 구조를 갖는 찰코파이라이트형 화합물을 함유하는 광흡수층을 형성하는 단계;ⅱ) 상기 광흡수층의 상부에 n-층을 형성하는 단계;ⅲ) 상기 n-층의 상부에 전자수송층을 형성하는 단계; 및ⅳ) 상기 전자수송층의 상부에 전극층을 부착하고 압착하는 단계;를 포함하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 ⅰ ) 단계는 ⅰ-1) 상기 전도성 기판의 표면에 찰코파이라이트형 화합물을 포함하는 졸-겔 용액을 도포하는 도포단계;ⅰ-2) 상기 광결정 구조의 역 표면 형상을 갖는 마스크로 상기 찰코파이라이트형 화합물을 임프린트시켜서 광결정을 형성시키는 단계; 및ⅰ-3) 상기 마스크를 가압 및 가열함으로써 상기 졸-겔 용액이 광결정 구조로 성형되는 단계;를 포함하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지의 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 전도성 기판은 ITO(인듐주석산화물), FTO(불소-도핑 된 인듐주석산화물) 유리, Mo 코팅된 유리, 금속 포일, 금속 판 및 전도성 고분자 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지의 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 찰코파이라이트형 화합물은 구리인듐셀렌(CIS), 구리인듐갈륨셀렌(CIGS), 구리인듐황(CIS) 및 구리인듐갈륨황(CIGS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지의 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 ⅰ) 단계와 ⅱ) 단계 사이에 상기 광흡수층의 표면에 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지의 제조방법
15 15
제10항에 있어서,상기 광흡수층에 형성된 광결정 단위형상의 직경은 0
16 16
제10항에 있어서,상기 광흡수층에 형성된 광결정 단위형상의 이격 거리는 0
17 17
제10항에 있어서,상기 태양전지의 두께는 100 ~ 3000 ㎚인 것을 특징으로 하는 찰코파이라이트형 화합물계 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 첨단융합기술개발 차세대 고효율 화합물반도체 나노박막 기반 태양전지 제조기술 개발