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반응로 내에 구리, 인듐, 갈륨, 및 셀레늄을 포함하는 원재료와 기판을 위치시키는 증착준비단계; 및운반가스가 일정한 유량으로 흐르는 반응로 내의 온도를 850 내지 1000 ℃ 로 유지하여 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 CIGS 나노로드 또는 나노와이어를 기판상에 성장시키는 증착단계;를 포함하고,상기 Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어는 상기 기판상에 에픽텍셜하게 성장한 단결정인 것인, 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제조방법은 상기 증착준비단계와 상기 증착단계 사이에 청소단계를 더 포함하고, 상기 청소단계는, 반응로 내부를 진공 상태로 한 후에 상기 운반가스의 유입하여 상기 반응로 내부의 불순물을 제거하는 과정을 포함하는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 원재료는, 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄 소스를 포함하는 제1재료와 구리를 포함하는 제2재료를 포함하고,상기 반응로 내에 위치하는 상기 기판과 상기 제1재료의 거리와 상기 기판과 상기 제2재료의 거리의 비율은 1:1 내지 3인 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 제2재료는, 구리, 요오드화 구리 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 반응로 내에서, 상기 기판, 제1재료 및 제2재료는 직선상에 위치되며, 플레이트와 수평으로 위치되는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 원재료는, 기준인 인듐과 갈륨의 합을 1로 보았을 때, 구리를 0
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7
제3항에 있어서,상기 증착단계에서 상기 기판과 상기 제1재료와의 온도의 차이는 60 내지 90 ℃인 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착단계는 상기 반응로 내의 온도를 승온하는 과정을 더 포함할 수 있으며, 상기 승온은 10 내지 30 ℃/min으로 이루어지는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착단계는, 1 내지 7 시간 동안 이루어지는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 운반가스는 수소, 질소, 불활성 기체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 운반가스는, 5 내지 200 sccm으로 공급되는 것인, CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법
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하기 화학식 1로 표시되는 CIGS 나노로드 또는 나노와이어를 포함하고, 상기 CIGS 나노로드 또는 나노와이어는 단결정으로, 정방정계 구조(tetragonal structure)를 포함하는 것인, 재료
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제13항에 있어서,상기 CIGS 나노로드 또는 나노와이어는 그 장축의 방향이 [012]인 것인, 재료
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제13항에 있어서,상기 CIGS 나노로드 또는 나노와이어는, 기판 상에 위치하고, 상기 기판과 상기 나노로드 또는 나노와이어의 경계는 상기 기판의 회절 패턴과 나노로드 또는 나노와이어의 회절 패턴이 모두 나타나는 것인, 재료
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제13항에 있어서,상기 나노로드는 그 길이가 1 내지 100 ㎛이고, 직경이 500 nm 내지 1 ㎛인 것이고, 상기 나노와이어는 직경이 10 nm 내지 500 nm이고, 길이가 1 내지 100 ㎛인 것인, 재료
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제13항에 따른 재료를 포함하는 태양전지
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제13항에 따른 재료를 포함하는 나노센서
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